[發明專利]一種倒裝LED芯片

在審

• 申請號: 202010110828.8
• 申請日: 2020-02-24
• 公開（公告）號: CN111180565A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 仇美懿;莊家銘;鄧梓陽
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/42
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓;李素蘭

本發明公開了一種倒裝LED芯片，包括襯底、外延層、透明導電層、填平層、粘附層、反射層、以及電極結構，所述外延層設于襯底上，所述透明導電層設于外延層上，所述填平層設于透明導電層上并將外延層的凹凸結構填平，所述填平層設有若干個第一孔洞，所述粘附層設于填平層上并填充到第一孔洞內與透明導電層形成導電連接，所述反射層設于所述粘附層。本發明在倒裝LED芯片的透明導電層上形成一層填平層，將外延層的凹凸結構填平，以形成平整的表面，使設置在填平層上的反射層形成全鏡面反射，從而使外延層發出的光經過反射層反射后，能夠集中從襯底背面出射，進而提高芯片的出光效率。

技術領域

本發明涉及發光二極管技術領域，尤其涉及一種倒裝LED芯片。

背景技術

參見圖1，現有的倒裝LED芯片包括襯底10、設于襯底10正面的外延層20、設于外延層20上的ITO層30、設于ITO層30上的反射層40、設于反射層40上的絕緣層50、以及電極60。現有的倒裝芯片，外延層20背向襯底10一側發出的光經過反射層40反射后從襯底10的背面一側射出。一般的外延層結構表面由于長晶的過程之中，表面會有凹凸不平，從而導致后面鍍上的反射層40不能形成完全的鏡面，進而使芯片產生色散，光不集中，在封裝成白光后，導致光效不好。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，提供一種倒裝LED芯片，提高芯片的出光效果和出光效率。

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種倒裝LED芯片，包括襯底、外延層、透明導電層、填平層、粘附層、反射層、以及電極結構，所述外延層設于襯底上，所述透明導電層設于外延層上，所述填平層設于透明導電層上并將外延層的凹凸結構填平，所述填平層設有若干個第一孔洞，所述粘附層設于填平層上并填充到第一孔洞內與透明導電層形成導電連接，所述反射層設于所述粘附層上并形成全鏡面反射結構，所述填平層由透明不導電材料制成，所述粘附層由透明導電材料制成。

作為上述方案的改進，所述透明不導電材料為氧化硅、氧化鋁、氮化硅、二氟化鎂和氮化硼中的一種或幾種。

作為上述方案的改進，所述透明導電材料為ITO、Ni/Au氧化物、AzO和ZnO中的一種或幾種。

作為上述方案的改進，所述填平層的厚度為300～1000nm；

所述粘附層的厚度為10～100nm。

作為上述方案的改進，所述第一孔洞的直徑為3～5μm，第一孔洞的間距為3～5μm。

作為上述方案的改進，所述外延層包括依次設于襯底上的第一半導體層、有源層和第二半導體層，所述外延層設有第二孔洞，所述第二孔洞從第二半導體層刻蝕至第一半導體層；

所述電極結構包括第一電極和第二電極，所述第一電極設置在第二孔洞裸露出來的第一半導體層上，所述第二電極貫穿反射層、粘接層和填平層并與透明導電層形成導電連接。

作為上述方案的改進，還包括保護層，所述保護層覆蓋在反射層上，以保護反射層；

所述保護層由鈦鎢合金制成。

作為上述方案的改進，還包括絕緣層，所述絕緣層覆蓋在保護層、第一電極和第二電極上，以防止側邊漏電；

所述絕緣層由絕緣材料制成。

作為上述方案的改進，所述電極結構還包括第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤和第二焊盤設置在絕緣層上，且第一焊盤填貫穿所述絕緣層與第一電極導電連接，所述第二焊盤貫穿所述絕緣層與第二電極導電連接。

作為上述方案的改進，所述反射層由銀制成，所述透明導電層為ITO層。

實施本發明，具有如下有益效果：