[發(fā)明專利]一種倒裝LED芯片

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010110828.8
• 申請日: 2020-02-24
• 公開（公告）號: CN111180565A
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 仇美懿;莊家銘;鄧梓陽
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山市國星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/42
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓;李素蘭

1.一種倒裝LED芯片，其特征在于，包括襯底、外延層、透明導(dǎo)電層、填平層、粘附層、反射層、以及電極結(jié)構(gòu)，所述外延層設(shè)于襯底上，所述透明導(dǎo)電層設(shè)于外延層上，所述填平層設(shè)于透明導(dǎo)電層上并將外延層的凹凸結(jié)構(gòu)填平，所述填平層設(shè)有若干個第一孔洞，所述粘附層設(shè)于填平層上并填充到第一孔洞內(nèi)與透明導(dǎo)電層形成導(dǎo)電連接，所述反射層設(shè)于所述粘附層上并形成全鏡面反射結(jié)構(gòu)，所述填平層由透明不導(dǎo)電材料制成，所述粘附層由透明導(dǎo)電材料制成。

2.如權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述透明不導(dǎo)電材料為氧化硅、氧化鋁、氮化硅、二氟化鎂和氮化硼中的一種或幾種。

3.如權(quán)利要求2所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述透明導(dǎo)電材料為ITO、Ni/Au氧化物、AzO和ZnO中的一種或幾種。

4.如權(quán)利要求3所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述填平層的厚度為300～1000nm；

所述粘附層的厚度為10～100nm。

5.如權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述第一孔洞的直徑為3～5μm，第一孔洞的間距為3～5μm。

6.如權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述外延層包括依次設(shè)于襯底上的第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層，所述外延層設(shè)有第二孔洞，所述第二孔洞從第二半導(dǎo)體層刻蝕至第一半導(dǎo)體層；

所述電極結(jié)構(gòu)包括第一電極和第二電極，所述第一電極設(shè)置在第二孔洞裸露出來的第一半導(dǎo)體層上，所述第二電極貫穿反射層、粘接層和填平層并與透明導(dǎo)電層形成導(dǎo)電連接。

7.如權(quán)利要求6所述的倒裝LED芯片，其特征在于，還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋在反射層上，以保護(hù)反射層；

所述保護(hù)層由鈦鎢合金制成。

8.如權(quán)利要求7所述的倒裝LED芯片，其特征在于，還包括絕緣層，所述絕緣層覆蓋在保護(hù)層、第一電極和第二電極上，以防止側(cè)邊漏電；

所述絕緣層由絕緣材料制成。

9.如權(quán)利要求8所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述電極結(jié)構(gòu)還包括第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤和第二焊盤設(shè)置在絕緣層上，且第一焊盤填貫穿所述絕緣層與第一電極導(dǎo)電連接，所述第二焊盤貫穿所述絕緣層與第二電極導(dǎo)電連接。

10.如權(quán)利要求1所述的倒裝LED芯片，其特征在于，所述反射層由銀制成，所述透明導(dǎo)電層為ITO層。