[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010108718.8
• 申請(qǐng)日: 2020-02-21
• 公開（公告）號(hào): CN112447735A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 太田健介;齋藤真澄;佐久間究
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11519
• 分類號(hào): H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11565;H01L27/1157
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 張世俊

本實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法，根據(jù)一實(shí)施方式，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備：襯底；多個(gè)導(dǎo)電層，配置在與襯底交叉的第1方向且在與第1方向交叉的第2方向上分別延伸；第1半導(dǎo)體層，在第1方向上延伸且與所述多個(gè)導(dǎo)電層對(duì)向；存儲(chǔ)部，設(shè)置在第1半導(dǎo)體層與多個(gè)導(dǎo)電層之間，與第1半導(dǎo)體層及所述多個(gè)導(dǎo)電層的一部分一起構(gòu)成存儲(chǔ)單元；及驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)單元。多個(gè)導(dǎo)電層遍及以下區(qū)域形成：第1區(qū)域，配置著多個(gè)存儲(chǔ)單元；第2區(qū)域，設(shè)置在比第1區(qū)域更靠第2方向的端部；及第3區(qū)域，與第1區(qū)域及第2區(qū)域不同；且位于第3區(qū)域的部分與位于第1區(qū)域及第2區(qū)域的部分絕緣分離。驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置在第3區(qū)域，且具備：第2半導(dǎo)體層，在第1方向上貫通多個(gè)導(dǎo)電層且在第1方向上延伸；及絕緣層，設(shè)置在第2半導(dǎo)體層與多個(gè)導(dǎo)電層之間；第2半導(dǎo)體層的一端經(jīng)由布線與第2區(qū)域的多個(gè)導(dǎo)電層連接，另一端與襯底連接。

[相關(guān)申請(qǐng)的引用]

本申請(qǐng)基于2019年9月4提出申請(qǐng)的先前日本專利申請(qǐng)第2019-160949號(hào)的優(yōu)先權(quán)的利益，且追求其利益，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用包含在本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

以下所記載的實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

已知有一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，具備：襯底；多個(gè)導(dǎo)電層，配設(shè)在與襯底的表面交叉的第1方向且在與第1方向交叉的第2方向上延伸；多個(gè)絕緣層，分別設(shè)置在多個(gè)導(dǎo)電層之間；半導(dǎo)體層，在第1方向上延伸，與多個(gè)導(dǎo)電層及多個(gè)絕緣層在第2方向上對(duì)向；及柵極絕緣膜，設(shè)置在多個(gè)導(dǎo)電層與半導(dǎo)體層之間。

發(fā)明內(nèi)容

一實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置具備：襯底；多個(gè)導(dǎo)電層，配置在與所述襯底交叉的第1方向且在與所述第1方向交叉的第2方向上分別延伸；第1半導(dǎo)體層，在所述第1方向上延伸且與所述多個(gè)導(dǎo)電層對(duì)向；存儲(chǔ)部，設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體層與所述多個(gè)導(dǎo)電層之間，與所述第1半導(dǎo)體層及所述多個(gè)導(dǎo)電層的一部分一起構(gòu)成存儲(chǔ)單元；及驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)所述存儲(chǔ)單元。所述多個(gè)導(dǎo)電層遍及以下區(qū)域形成：第1區(qū)域，配置著所述多個(gè)存儲(chǔ)單元；第2區(qū)域，設(shè)置在比所述第1區(qū)域更靠所述第2方向的端部；及第3區(qū)域，與所述第1區(qū)域及所述第2區(qū)域不同；且位于所述第3區(qū)域的部分與位于所述第1區(qū)域及所述第2區(qū)域的部分絕緣分離。所述驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置在所述第3區(qū)域，且具備：第2半導(dǎo)體層，在所述第1方向上貫通所述多個(gè)導(dǎo)電層且在所述第1方向上延伸；及絕緣層，設(shè)置在所述第2半導(dǎo)體層與所述多個(gè)導(dǎo)電層之間；所述第2半導(dǎo)體層的一端經(jīng)由布線與所述第2區(qū)域的所述多個(gè)導(dǎo)電層連接，另一端與所述襯底連接。

一實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的制造方法是在與襯底的表面交叉的第1方向上，將在與所述第1方向交叉的第2方向上延伸的多個(gè)犧牲層和多個(gè)第1絕緣層交替地積層而形成積層體；在所述積層體的第1區(qū)域、位于比所述第1區(qū)域更靠所述第2方向的端部的第2區(qū)域、及與所述第1區(qū)域及所述第2區(qū)域不同的第3區(qū)域中的所述第2區(qū)域形成階梯部；在所述第1區(qū)域，形成在所述第1方向上延伸且與所述多個(gè)犧牲層及所述多個(gè)第1絕緣層對(duì)向的第1半導(dǎo)體層及存儲(chǔ)部；在所述第3區(qū)域，形成在所述第1方向上延伸且與所述多個(gè)犧牲層及所述多個(gè)第1絕緣層對(duì)向的第2半導(dǎo)體層及第2絕緣層；形成將所述第3區(qū)域與所述第1區(qū)域及所述第2區(qū)域分離的在所述第1方向上延伸的槽；通過(guò)經(jīng)由所述槽去除所述犧牲層而形成空腔；在所述空腔形成導(dǎo)電層；在所述槽形成第3絕緣層而將所述第3區(qū)域與所述第1區(qū)域及所述第2區(qū)域絕緣。

附圖說(shuō)明

圖1是表示第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的示意性構(gòu)成的等效電路圖。

圖2是第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的示意性俯視圖。

圖3是圖2的A部的放大圖。

圖4是將圖3的B-B'線處所示的部分切斷，朝箭頭方向觀察所得的示意性剖視圖。

圖5是將圖3的C-C'線處所示的部分切斷，朝箭頭方向觀察所得的示意性剖視圖。

圖6是將圖3的D-D'線處所示的部分切斷，朝箭頭方向觀察所得的示意性立體圖。