[發明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 202010108670.0
• 申請日: 2020-02-21
• 公開（公告）號: CN112447205B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 塚本隆之;古橋弘亙;杉本剛士;小村政則
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: G11C5/06
• 分類號: G11C5/06;G11C5/14;G11C7/18;G11C8/14
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

實施方式提供一種能夠較好控制的半導體存儲裝置。實施方式的半導體存儲裝置具備：多條第1布線；多條第2布線，與多條第1布線交叉；及多個存儲單元，設置在多條第1布線及多條第2布線之間，且具備阻變層、及包含硫族元素的非線性元件層。在置位動作中，對多條第1布線中的一條、及多條第2布線中的一條之間供給置位脈沖。在復位動作中，對多條第1布線中的一條、及多條第2布線中的一條之間供給復位脈沖。在第1動作中，對多條第1布線中的一條、及多條第2布線中的一條之間供給第1脈沖。第1脈沖具備比置位脈沖的振幅及復位脈沖的振幅中的較大振幅更大的振幅，或者具備與較大的振幅相同的振幅及比置位脈沖的脈沖寬度更大的脈沖寬度。

[相關申請]

本申請享有以日本專利申請2019-161833號(申請日：2019年9月5日)為基礎申請的優先權。本申請通過參考該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。

技術領域

本實施方式涉及一種半導體存儲裝置。

背景技術

已知一種半導體存儲裝置，具備：多條第1布線；多條第2布線，與多條第1布線交叉；及多個存儲單元，設置在多條第1布線及多條第2布線之間，具備阻變層、及包含硫族元素的非線性元件層。

發明內容

本發明所要解決的課題是提供一種能夠較好控制的半導體存儲裝置。

一實施方式的半導體存儲裝置具備：多條第1布線；多條第2布線，與多條第1布線交叉；及多個存儲單元，設置在多條第1布線及多條第2布線之間，具備阻變層、及包含硫族元素的非線性元件層。在置位動作中，對多條第1布線中的一條、及多條第2布線中的一條之間供給置位脈沖。在復位動作中，對多條第1布線中的一條、及多條第2布線中的一條之間供給復位脈沖。在第1動作中，對多條第1布線中的一條、及多條第2布線中的一條之間供給第1脈沖。第1脈沖具備比置位脈沖的振幅及復位脈沖的振幅中的較大振幅更大的振幅，或者具備與較大的振幅相同的振幅及比置位脈沖的脈沖寬度更大的脈沖寬度。

一實施方式的半導體存儲裝置具備存儲芯片，該存儲芯片具備：多條第1布線；多條第2布線，與多條第1布線交叉；及多個存儲單元，設置在多條第1布線及多條第2布線之間，具備阻變層、及包含硫族元素的非線性元件層。根據包含地址數據的第1命令集的輸入，執行包含第1動作及第2動作的第1序列。在第1動作中，存儲芯片的溫度上升，在第2動作中，對多條第1布線中的一條、及多條第2布線中的一條之間供給第1脈沖。

附圖說明

圖1是表示第1實施方式的半導體存儲裝置的一部分構成的示意性功能框圖。

圖2是表示該半導體存儲裝置的一部分構成的示意性電路圖。

圖3是表示該半導體存儲裝置的構成的示意性立體圖。

圖4是表示該半導體存儲裝置的構成的示意性立體圖。

圖5是表示該半導體存儲裝置的一部分構成的示意性俯視圖。

圖6是圖5的A中所示的部分的示意性放大圖。

圖7是將圖6所示的構造沿A-A′線切斷且以箭頭方向觀察所得的示意性剖視圖。

圖8是將圖7所示的構造沿B-B′線切斷且以箭頭方向觀察所得的示意性剖視圖。

圖9(a)、(b)是與圖7及圖8的一部分對應的示意性剖視圖。

圖10是表示該半導體存儲裝置的存儲單元MC的電流-電壓特性的示意性曲線圖。

圖11是表示讀出動作、寫入動作等中的選擇位線BL及選擇字線WL的電壓的示意性曲線圖。

圖12是表示讀出動作時供給至位線BL及字線WL的電壓的示意圖。

圖13是表示置位動作時供給至位線BL及字線WL的電壓的示意圖。