[發明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 202010108670.0
• 申請日: 2020-02-21
• 公開（公告）號: CN112447205B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 塚本隆之;古橋弘亙;杉本剛士;小村政則
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: G11C5/06
• 分類號: G11C5/06;G11C5/14;G11C7/18;G11C8/14
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種半導體存儲裝置，具備：

多條第1布線；

多條第2布線，與所述多條第1布線交叉；及

多個存儲單元，設置在所述多條第1布線及所述多條第2布線之間，具備阻變層、及包含硫族元素的非線性元件層；

在置位動作中，對所述多條第1布線中的一條、及所述多條第2布線中的一條之間供給置位脈沖，

在復位動作中，對所述多條第1布線中的一條、及所述多條第2布線中的一條之間供給復位脈沖，

在第1動作中，對所述多條第1布線中的一條、及所述多條第2布線中的一條之間供給第1脈沖，

所述第1脈沖具備

比所述置位脈沖的振幅及所述復位脈沖的振幅中的較大振幅更大的振幅，或者具備

與所述較大振幅相同的振幅及比所述置位脈沖的脈沖寬度更大的脈沖寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其具備具有所述多條第1布線、所述多條第2布線、及所述多個存儲單元的存儲芯片，

在開始所述置位動作的時間點，所述存儲芯片具有第1溫度，

在開始所述第1動作的時間點，所述存儲芯片具有第2溫度，且所述第2溫度大于所述第1溫度。

3.根據權利要求1或2所述的半導體存儲裝置，其具備具有所述多條第1布線、所述多條第2布線、及所述多個存儲單元的存儲芯片，

將從開始所述置位動作之前的第1時間點至開始所述置位動作的第2時間點流入所述存儲芯片的電流的平均值設為第1電流，

將從開始所述第1動作之前的第3時間點至開始所述第1動作的第4時間點流入所述存儲芯片的電流的平均值設為第2電流，

若將從所述第1時間點至所述第2時間點的時間設為與從所述第3時間點至所述第4時間點的時間相同，

則所述第2電流比所述第1電流更大。

4.一種半導體存儲裝置，具備存儲芯片，所述存儲芯片包含：

多條第1布線；

多條第2布線，與所述多條第1布線交叉；及

多個存儲單元，設置在所述多條第1布線及所述多條第2布線之間，具備阻變層、及包含硫族元素的非線性元件層；

根據包含地址數據的第1命令集的輸入，執行包含第1動作及第2動作的第1序列，

在所述第1動作中，所述存儲芯片的溫度上升，

在所述第2動作中，對所述多條第1布線中的一條、及所述多條第2布線中的一條之間供給第1脈沖。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲裝置，其中

在所述第1序列中，

在執行所述第2動作之前，執行n次讀出動作，其中n為1以上4以下的自然數，

在執行所述第2動作之后，執行n次寫入動作，其中n為1以上4以下的自然數。