[發(fā)明專利]粘晶機(jī)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010108099.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-02-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113299577A | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 石敦智;林語尚;劉黃頌凱;施景翔 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 均華精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139 | 代理人: | 李林 |
| 地址: | 中國臺(tái)*** | 國省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 粘晶機(jī) | ||
本發(fā)明提供一種粘晶機(jī),包含至少一接合載臺(tái)、一供應(yīng)模塊、一取放模塊、一轉(zhuǎn)承模塊及一旋轉(zhuǎn)模塊;接合載臺(tái)用以設(shè)置相同或不同類別的復(fù)數(shù)基板;供應(yīng)模塊用以設(shè)置至少一晶粒,晶粒具有一等級(jí),該些級(jí)對(duì)應(yīng)于其中一基板的類別;取放模塊設(shè)置于供應(yīng)模塊的上方,用以取放晶粒;轉(zhuǎn)承模塊設(shè)置于供應(yīng)模塊與旋轉(zhuǎn)模塊之間,用以承接由取放模塊取放的晶粒;旋轉(zhuǎn)模塊設(shè)置于接合載臺(tái)的一側(cè),旋轉(zhuǎn)模塊包括至少一取放單元用以拾取晶粒,由取放單元將晶粒放置于相對(duì)應(yīng)的類別的基板的表面。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種粘晶機(jī),尤指一種可根據(jù)晶圓等級(jí)將晶圓與相對(duì)應(yīng)類別的基板相接合,并能解決傳統(tǒng)粘晶制程存在的加熱不均、耗費(fèi)工時(shí)、生產(chǎn)效率低等問題的粘晶機(jī)。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的粘晶機(jī)(die bonder),系利用取放模塊吸取位于晶粒供應(yīng)模塊的晶粒,再將晶粒運(yùn)送至一接合載臺(tái)以與接合載臺(tái)上的基板進(jìn)行接合(bonding)。
一片晶圓包含了許多晶粒,于理想狀況下,晶粒品質(zhì)應(yīng)該都是良好的,但因各種因素影響導(dǎo)致實(shí)際狀況不然,因此一般業(yè)者的做法是利用晶圓測(cè)試機(jī)對(duì)各晶粒進(jìn)行測(cè)試,以區(qū)別出晶粒的品質(zhì)。
最單純的測(cè)試結(jié)果是將晶粒區(qū)分為良好或不良二種,針對(duì)不良的晶粒,會(huì)將晶粒做上記號(hào)(墨記),取放模塊會(huì)辨識(shí)記號(hào)而避開不良的晶粒,僅取用良好的晶粒,而被標(biāo)記不良的晶粒則舍棄。
然而,對(duì)于某些晶粒而言,并無法單純區(qū)分為良好或不良二種。例如針對(duì)存儲(chǔ)器而言,即使有部分損壞仍可使用,換言之,依是否損壞以及損壞的程度而言,可將存儲(chǔ)器區(qū)分為多種(至少三種)等級(jí)。
針對(duì)上述多種等級(jí)的情況,傳統(tǒng)作法是將測(cè)試結(jié)果制作成一測(cè)試結(jié)果檔案。測(cè)試結(jié)果檔案內(nèi)容可顯示每一晶粒的測(cè)試結(jié)果,取放模塊則針對(duì)等級(jí)分批取放晶粒。例如,根據(jù)測(cè)試結(jié)果檔案顯示晶粒被區(qū)分為A~D四個(gè)等級(jí)時(shí),取放模塊會(huì)先將所有A等級(jí)的晶粒進(jìn)行接合于基板的制程之后,再進(jìn)行所有B等級(jí)的晶粒,而后依序處理C等級(jí)、D等級(jí)的晶粒。
由于在處理不同等級(jí)晶粒時(shí),必須在接合載臺(tái)上放置相對(duì)應(yīng)于該些級(jí)晶粒的基板,因而耗費(fèi)大量置換基板的工時(shí),此外,等待晶粒與基板接合固化也必須耗費(fèi)大量時(shí)間。上述種種因素都導(dǎo)致生產(chǎn)效率低。
為解決上述問題,部分業(yè)者的作法是先將不同等級(jí)的晶粒分開,而后采用兩條作業(yè)線分別負(fù)責(zé)A等級(jí)、B等級(jí)的晶粒。其憑借一取放模塊分別拾取A等級(jí)、B等級(jí)晶粒并送入不同的作業(yè)線,在同時(shí)進(jìn)行與基板接合的制程。此方式雖然一次可同時(shí)處理兩顆晶粒的接合制程,但是必須投入設(shè)備成本及設(shè)備占據(jù)的空間。此外,取放模塊取放晶粒的路徑加長,實(shí)際所能節(jié)省的工時(shí)有限。
針對(duì)晶粒與基板接合的制程而言,由于不同晶粒具有不同厚度,且晶粒的態(tài)樣不同,因此對(duì)于粘晶制程的加熱器的選用也是一項(xiàng)重要的考量因素。
例如,當(dāng)晶粒較厚時(shí),若是由晶粒底部或頂部單方向加熱,都會(huì)導(dǎo)致熱度分布不均。或者,當(dāng)晶粒為多層式結(jié)構(gòu)時(shí),例如3D快閃存儲(chǔ)器(NAND),其屬于層層堆迭式結(jié)構(gòu),若由3D快閃存儲(chǔ)器(NAND)底部加熱,則會(huì)導(dǎo)致其頂部熱度不足,影響接合效果,然而若是加長加熱時(shí)間,則會(huì)導(dǎo)致底部受熱過度,使得制程品質(zhì)惡化。
發(fā)明內(nèi)容
據(jù)此,如何能有一種可根據(jù)晶圓等級(jí)將晶圓與相對(duì)應(yīng)類別的基板相接合,并能解決傳統(tǒng)粘晶制程存在的加熱不均、耗費(fèi)工時(shí)、生產(chǎn)效率低等問題的粘晶機(jī),是相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域人士亟待解決的課題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種粘晶機(jī),其特征在于,包含:
至少一接合載臺(tái),用以設(shè)置相同或不同類別的復(fù)數(shù)基板;
一供應(yīng)模塊,用以設(shè)置至少一晶粒,該晶粒具有一等級(jí),該等級(jí)對(duì)應(yīng)于其中一該基板的類別;
一取放模塊,設(shè)置于該供應(yīng)模塊的上方,用以取放該晶粒;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





