[發(fā)明專利]一種太陽能電池的硼擴散方法及太陽能電池的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010106900.X | 申請日: | 2020-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN111293191A | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 殷涵玉;何勝;周盛永;黃海燕;陸川 | 申請(專利權(quán))人: | 浙江正泰太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/04;H01L31/0288;H01L21/223 |
| 代理公司: | 北京元合聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11653 | 代理人: | 李非非 |
| 地址: | 310053 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽能電池 擴散 方法 制造 | ||
本發(fā)明提供了一種太陽能電池的硼擴散方法,該硼擴散方法包括:將硅片放入擴散爐中并將所述擴散爐中的溫度升高至第一溫度;對所述硅片進行前氧化操作以在所述硅片的表面形成氧化層;向所述擴散爐中通入攜硼源氮氣、中等流量的氮氣以及氧氣,在所述硅片表面進行第一硼擴散;向所述擴散爐中通入攜硼源氮氣、大流量的氮氣以及氧氣,在所述硅片表面進行第二硼擴散;向所述擴散爐中通入攜硼源氮氣、小流量的氮氣以及氧氣,在所述硅片表面進行第三硼擴散;降低所述擴散爐中的溫度并對所述硅片執(zhí)行出舟操作。本發(fā)明還提供了一種太陽能電池的制造方法。實施本發(fā)明可以有效提高擴散爐中各區(qū)域的擴散均勻性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種太陽能電池的硼擴散方法及太陽能電池的制造方法。
背景技術(shù)
PN結(jié)的制備是太陽能電池制造過程中的關(guān)鍵步驟之一。現(xiàn)有技術(shù)中,通常采用液態(tài)源擴散的方法制備太陽能電池的PN結(jié)。具體地,將待擴散的硅片插在石英舟上,然后將載有硅片的石英舟放入擴散爐中,在一定的溫度條件下通入擴散源以及工藝氣體(例如氮氣、氧氣等),擴散源與工藝氣體反應(yīng)的生產(chǎn)物附著在硅片表面并與硅片反應(yīng)產(chǎn)生摻雜原子,該摻雜原子經(jīng)過熱擴散的過程進入硅片表面,由此完成擴散過程形成PN結(jié)。
針對于擴散工藝來說,除了要求單片硅片表面形成均勻的摻雜層之外,還要求整爐硅片表面也都要形成均勻的摻雜層。這是因為整爐的擴散均勻性越好,制備出的產(chǎn)品性能一致性越高。擴散時整爐的均勻性主要由擴散氣體的分布和溫度共同決定,其中,如何保證擴散氣體的分布均勻性是目前控制的難點。以三溴化硼作為硼源的硼擴散為例進行說明,將硅片放入擴散爐中后,從擴散爐的尾部通入硼源、氮氣以及氧氣,在一定溫度下經(jīng)過一定時間的反應(yīng)形成對硅片表面的硼擴散。由于三溴化硼在高溫條件下保持液態(tài)且密度較大,因此通過氮氣很難使三溴化硼均勻地分布在擴散爐內(nèi)部,從而導(dǎo)致靠近擴散爐爐口區(qū)域和爐尾區(qū)域的硅片其擴散方阻的均勻性較差,進而影響到太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率以及產(chǎn)品性能的一致性。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷,本發(fā)明提供了一種太陽能電池的硼擴散方法,該硼擴散方法包括:
將硅片放入擴散爐中并將所述擴散爐中的溫度升高至第一溫度;
對所述硅片進行前氧化操作以在所述硅片的表面形成氧化層;
向所述擴散爐中通入攜硼源氮氣、中等流量的氮氣以及氧氣,在所述硅片表面進行第一硼擴散;
向所述擴散爐中通入攜硼源氮氣、大流量的氮氣以及氧氣,在所述硅片表面進行第二硼擴散;
向所述擴散爐中通入攜硼源氮氣、小流量的氮氣以及氧氣,在所述硅片表面進行第三硼擴散;
降低所述擴散爐中的溫度并對所述硅片執(zhí)行出舟操作。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面,在該硼擴散方法中,在所述第一硼擴散中,所述攜硼源氮氣的流量是0.05slm-0.8slm,所述中等流量是8slm-20slm,所述氧氣的流量是0.05slm-1.2slm,所述第一硼擴散的時長是5min-50min。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面,在該硼擴散方法中,在所述第二硼擴散中,所述攜硼源氮氣的流量是0.1slm-1slm,所述大流量是20slm-30slm,所述氧氣的流量是0.1slm-1.2slm,所述第二硼擴散的時長是1min-20min。
根據(jù)本發(fā)明的又一個方面,在該硼擴散方法中,在所述第三硼擴散中,所述攜硼源氮氣的流量是0.01slm-0.3slm,所述小流量是2slm-8slm,所述氧氣的流量是0.05slm-0.1slm,所述第三硼擴散的時長是1min-20min。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





