[發明專利]一種太陽能電池的硼擴散方法及太陽能電池的制造方法在審
| 申請號: | 202010106900.X | 申請日: | 2020-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN111293191A | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發明(設計)人: | 殷涵玉;何勝;周盛永;黃海燕;陸川 | 申請(專利權)人: | 浙江正泰太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/04;H01L31/0288;H01L21/223 |
| 代理公司: | 北京元合聯合知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11653 | 代理人: | 李非非 |
| 地址: | 310053 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 擴散 方法 制造 | ||
1.一種太陽能電池的硼擴散方法,該硼擴散方法包括:
將硅片放入擴散爐中并將所述擴散爐中的溫度升高至第一溫度;
對所述硅片進行前氧化操作以在所述硅片的表面形成氧化層;
向所述擴散爐中通入攜硼源氮氣、中等流量的氮氣以及氧氣,在所述硅片表面進行第一硼擴散;
向所述擴散爐中通入攜硼源氮氣、大流量的氮氣以及氧氣,在所述硅片表面進行第二硼擴散;
向所述擴散爐中通入攜硼源氮氣、小流量的氮氣以及氧氣,在所述硅片表面進行第三硼擴散;
降低所述擴散爐中的溫度并對所述硅片執行出舟操作。
2.根據權利要求1所述的硼擴散方法,其中:
在所述第一硼擴散中,所述攜硼源氮氣的流量是0.05slm-0.8slm,所述中等流量是8slm-20slm,所述氧氣的流量是0.05slm-1.2slm,所述第一硼擴散的時長是5min-50min。
3.根據權利要求1所述的硼擴散方法,其中:
在所述第二硼擴散中,所述攜硼源氮氣的流量是0.1slm-1slm,所述大流量是20slm-30slm,所述氧氣的流量是0.1slm-1.2slm,所述第二硼擴散的時長是1min-20min。
4.根據權利要求1所述的硼擴散方法,其中:
在所述第三硼擴散中,所述攜硼源氮氣的流量是0.01slm-0.3slm,所述小流量是2slm-8slm,所述氧氣的流量是0.05slm-0.1slm,所述第三硼擴散的時長是1min-20min。
5.根據權利要求1所述的硼擴散方法,其中,向所述擴散爐中通入攜硼源氮氣、中等流量的氮氣以及氧氣在所述硅片表面進行第一硼擴散之后,該硼擴散方法還包括:
a、停止向所述擴散爐中通入攜硼源氮氣和氧氣,在保持氮氣流量不變或降低氮氣流量的情況下將所述擴散爐爐口區域的溫度從所述第一溫度升高至第二溫度、以及保持所述擴散爐爐中區域和爐口區域的所述第一溫度。
6.根據權利要求5所述的硼擴散方法,其中,所述第二溫度比所述第一溫度高2℃-30℃。
7.根據權利要求5所述的硼擴散方法,其中,向所述擴散爐中通入攜硼源氮氣、大流量的氮氣以及氧氣在所述硅片表面進行第二硼擴散之后,該硼擴散方法還包括:
b1、停止向所述擴散爐中通入攜硼源氮氣和氧氣,在保持氮氣流量不變或降低氮氣流量的情況下將所述擴散爐爐口區域的溫度從所述第二溫度降低至所述第一溫度、保持所述擴散爐爐中區域的所述第一溫度、以及將所述擴散爐爐尾區域的溫度從所述第一溫度升高至第三溫度;或
b2、停止向所述擴散爐中通入攜硼源氮氣和氧氣,在保持氮氣流量不變或降低氮氣流量的情況下保持所述擴散爐爐口區域的所述第二溫度和所述擴散爐爐中區域的所述第一溫度、以及將所述擴散爐爐尾區域的溫度從所述第一溫度升高至第三溫度。
8.根據權利要求7所述的硼擴散方法,其中,所述第三溫度比所述第一溫度高1℃-30℃。
9.根據權利要求1所述的硼擴散方法,其中,向所述擴散爐中通入攜硼源氮氣、小流量的氮氣以及氧氣在所述硅片表面進行第三硼擴散之后,該硼擴散方法還包括:
c、停止向所述擴散爐中通入攜硼源氮氣和氧氣,在提高氮氣流量的情況下對所述硅片進行推結操作。
10.根據權利要求9所述的硼擴散方法,其中:
步驟c中所述氮氣的流量是8slm-20slm,所述推結操作的時長是2min-20min。
11.根據權利要求1至9中任一項所述的硼擴散方法,其中,對所述硅片進行前氧化操作以在所述硅片的表面形成氧化層包括:
d、向所述擴散爐中通入氧氣并保持第一反應時長;
e、在保持氧氣流量和所述第一溫度均不變的情況下向所述擴散爐中通入攜硼源氮氣,經第二反應時長后在所述硅片表面形成氧化硅層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





