[發明專利]交聯配體、納米粒子層圖案化的方法、量子點發光器件及顯示裝置

在審

• 申請號: 202010106719.9
• 申請日: 2020-02-21
• 公開（公告）號: CN113292463A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 陳卓
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方技術開發有限公司
• 主分類號: C07C323/22
• 分類號: C07C323/22;C07C323/19;C07D303/34;C07C59/84;C09K11/02;B82Y40/00;G03F7/004;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;蔡麗

本發明涉及顯示領域，尤其涉及交聯配體、納米粒子層圖案化的方法、量子點發光器件及顯示裝置。交聯配體包括：至少兩個配位基團，所述配位基團之間連接有至少一個光敏降解基團和至少一個熱敏交聯基團。納米粒子層圖案化的方法為：在基板上形成納米粒子層；使含有所述的交聯配體的溶液均勻黏附于基板上，所述交聯配體使納米粒子之間形成交聯；采用光照處理基板的預設區域，預設區域內的交聯配體降解并解除納米粒子之間的交聯；去除預設區域內的納米粒子；對基板進行熱處理，所述交聯配體中的熱敏交聯基團之間形成交聯，完成圖案化。本發明無需對納米粒子本身的配體進行結構設計，可形成分辨率高的納米粒子層特別是量子點層，工藝簡便，實現性高。

技術領域

本發明涉及顯示領域，尤其涉及交聯配體、納米粒子層圖案化的方法、量子點發光器件及顯示裝置。

背景技術

隨著量子點制備技術的深入發展，量子點的穩定性以及發光效率不斷提升，量子點電致發光二極管(Quantum Light Emitting Diode，QLED)的研究不斷深入， QLED在顯示領域的應用前景日漸光明。但是，QLED的高分辨率圖案化 (300ppi)技術目前還沒有取得突破，阻礙了QLED的商品化。

量子點是零維的納米半導體材料，量子點三個維度的尺寸都不大于其對應的半導體材料的激子玻爾半徑的兩倍，現有技術制造圖案化的量子點時，由于量子點的無機納米粒子特性，無法通過蒸鍍成膜并圖案化的方法制作圖案化的量子點。

相關技術一般通過噴墨打印法制作圖案化的量子點，而采用這種方法很難達到較高的分辨率。

同樣，與量子點性能相似的無機納米粒子，同樣無法按照相關技術形成圖案化的高分辨率膜層。

使用光刻工藝來實現納米粒子層的高分辨率圖案化是一個可行的方案。但是，目前多是針對納米粒子本身的配體結構進行設計和改進，合成方法復雜，合成難度高。

發明內容

本發明要解決的技術問題是：提供一種交聯配體、納米粒子圖案化的方法、量子點發光器件及顯示裝置；所述圖案化的方法，無需對納米粒子本身的配體進行復雜的結構設計，并可形成分辨率高的納米粒子層，應用于量子點發光器件中時，可形成分辨率高的量子點層，該方法工藝簡便，具有很高的實現性。

本發明提供了一種交聯配體，包括：至少兩個配位基團，所述配位基團之間連接有至少一個光敏降解基團和至少一個熱敏交聯基團。

可選地，包括設置于兩端的至少一個第一配位基團和至少一個第二配位基團，

所述第一配位基團和第二配位基團之間依次連接有第一光敏降解基團、第一熱敏交聯基團、和第二光敏降解基團；或者

所述第一配位基團和第二配位基團之間依次連接有第一熱敏交聯基團、第一光敏降解基團、第二光敏降解基團、和第二熱敏交聯基團；或者

所述第一配位基團和第二配位基團之間依次連接有第一熱敏交聯基團、第一光敏降解基團、和第二熱敏交聯基團；或者

所述第一配位基團和第二配位基團之間連接有第一光敏降解基團；所述第一配位基團與第一光敏降解基團的之間的支鏈上連接有至少一個第一熱敏交聯基團；所述第二配位基團與第一光敏降解基團的之間的支鏈上連接有至少一個第二熱敏交聯基團。

可選地，所述光敏降解基團為苯甲酰基團、鄰硝基苯甲氧基、苯甲氧基縮醛基團或者香豆酰基；所述熱敏交聯基團包括苯硫醚基、環氧基、雙鍵、丙烯酸酯基團或者甲基丙烯酸酯基團；所述配位基團選自烷基膦、烷基氧膦、羧基、巰基和氨基中的任意一種。

可選地，所述交聯配體如式(Ⅰ)～式(VII)任意一化學式所示：

本發明提供了一種納米粒子層圖案化的方法，包括以下步驟：