[發明專利]半導體功率器件在審
| 申請號： | 202010106676.4 | 申請日： | 2020-02-21 |
| 公開（公告）號： | CN113299750A | 公開（公告）日： | 2021-08-24 |
| 發明（設計）人： | 龔軼;劉磊;劉偉;毛振東 | 申請（專利權）人： | 蘇州東微半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/423;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市蘇州工業園區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 功率 器件 | ||
1.半導體功率器件，其特征在于，包括：
n型外延層，以及位于所述n型外延層內的：
自下而上的第一n型漂移區、第二n型漂移區和第三n型漂移區，所述第一n型漂移區的摻雜濃度和所述第三n型漂移區的摻雜濃度均大于所述第二n型漂移區的摻雜濃度；
至少一個柵溝槽以及位于所述柵溝槽內的柵極結構，所述柵溝槽的底部不高于所述第二n型漂移區的上表面；
位于所述柵溝槽的兩側且位于所述第三n型漂移區之上的p型體區，以及位于所述p型體區中的n型源區。
2.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，所述柵溝槽的底部不低于所述第二n型漂移區的下表面。
3.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，所述柵溝槽的底部低于所述第二n型漂移區的下表面，所述柵溝槽的底部位于所述第一n型漂移區內。
4.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，還包括位于所述第三n型漂移區內的n型電場調制層，所述n型電場調制層的摻雜濃度大于所述第三n型漂移區的摻雜濃度。
5.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，所述柵極結構包括屏蔽柵和柵極，所述柵極、所述屏蔽柵和所述n型外延層兩兩之間由絕緣介質層隔離。
6.如權利要求5所述的半導體功率器件，其特征在于，所述柵極位于所述柵溝槽的上部內，所述屏蔽柵位于所述柵溝槽的下部內。
7.如權利要求5所述的半導體功率器件，其特征在于，所述柵極位于所述柵溝槽的上部內，所述屏蔽柵位于所述柵溝槽的下部內且所述屏蔽柵向上延伸至所述柵溝槽的上部內。
8.如權利要求7所述的半導體功率器件，其特征在于，在所述柵溝槽的上部內，所述柵極位于所述屏蔽柵的兩側。
9.如權利要求7所述的半導體功率器件，其特征在于，在所述柵溝槽的上部內，所述柵極環繞包圍所述屏蔽柵。
10.如權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，還包括n型漏區，所述第一n型漂移區位于所述n型漏區之上。
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