[發明專利]接合結構

有效

• 申請號: 202010106441.5
• 申請日: 2020-02-21
• 公開（公告）號: CN111613595B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 佐藤敬;谷口晉;小林英之;折笠誠
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/488
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

一種用于將發光元件和基板接合的接合結構，其包括：形成于發光元件的第1電極、形成于基板的第2電極和將第1電極與第2電極接合的接合層，接合層含有第1接合金屬成分和與該第1接合金屬成分不同的第2接合金屬成分。

技術領域

本發明涉及接合結構。

背景技術

目前，作為將電子零件和基板接合的接合結構，已知有日本特開2011－74484號公報中記載的接合結構。該接合結構通過使覆蓋電子零件的電極的焊料和覆蓋基板的電極的焊料熔融而將電子零件和基板接合。

發明內容

在此，在將發光元件和基板接合的情況下，要求將兩者以適當的狀態接合。因此，本發明的一個方面提供一種可以將發光元件和基板以適當的狀態接合的接合結構。

本發明的一個方面的接合結構是將發光元件和基板接合的接合結構，其包括：形成于發光元件的第1電極、形成于基板的第2電極和將第1電極和第2電極接合的接合層，接合層含有第1接合金屬成分和與該第1接合金屬成分不同的第2接合金屬成分。

發光元件和基板經由接合層接合。另外，發光元件的第1電極和基板的第2電極經由接合層電連接。接合層含有第1接合金屬成分和與該第1接合金屬成分不同的第2接合金屬成分。這樣，在接合層含有彼此不同的第1接合金屬成分和第2接合金屬成分的情況下，可以降低接合時的熔點。因此，可以將發光元件和基板在低溫下接合。如上所述，能夠將發光元件和基板以適當的狀態接合。

也可以是，接合層具有合金層，合金層由基底金屬成分與第1接合金屬成分和第2接合金屬成分中的一者的接合金屬成分的合金構成。

也可以是，接合層在發光元件側及基板側具有一對合金層。

也可以是，接合層具有由大致單一的金屬成分形成的金屬層，金屬層由第1接合金屬成分與第2接合金屬成分的另一者的接合金屬成分形成。

也可以是，接合層具有第1接合金屬成分和第2接合金屬成分混合而成的共晶層。

也可以是，接合層具有由大致單一的金屬成分形成的金屬層和第1接合金屬成分和第2接合金屬成分混合而成的共晶層，金屬層由第1接合金屬成分和第2接合金屬成分中的至少一者的金屬成分形成，共晶層形成于金屬層的周圍。

也可以是，接合層具有形成于發光元件側的第1基底層和第1合金層、形成于基板側的第2基底層和第2合金層，第1合金層由第1基底層的第1基底金屬成分與第1接合金屬成分和第2接合金屬成分中的一者的接合金屬成分的合金構成，第2合金層由第2基底層的第2基底金屬成分與第1接合金屬成分和第2接合金屬成分的一者的接合金屬成分的合金構成，第1合金層和第2合金層中的一者的合金層比另一者的合金層薄。

也可以是，接合層具有形成于發光元件側的第1基底層和第1合金層、形成于基板側的第2基底層和第2合金層，第1合金層由第1基底層的第1基底金屬成分與第1接合金屬成分和第2接合金屬成分中的一者的接合金屬成分的合金構成，第2合金層由第2基底層的第2基底金屬成分和一者的接合金屬成分的合金構成，第1合金層和第2合金層可以從第1基底層和第2基底層呈輻射狀形成。

根據本發明，能夠提供一種可以將發光元件和基板以適當的狀態接合的接合結構。

附圖說明

圖1是表示第1實施方式的接合結構的示意側視圖。

圖2是表示第1實施方式的接合結構的示意俯視圖。

圖3是第1實施方式的接合結構的示意截面圖。

圖4A、4B、4C、4D是表示在發光元件側形成凸塊時的過程的工序圖。

圖5A、5B、5C、5D是表示在基板側形成凸塊時的過程的工序圖。

圖6A、6B、6C是表示將發光元件接合于基板時的過程的工序圖。