[發明專利]接合結構

有效

• 申請號: 202010106441.5
• 申請日: 2020-02-21
• 公開（公告）號: CN111613595B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 佐藤敬;谷口晉;小林英之;折笠誠
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/488
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

1.一種用于將發光元件和基板接合的接合結構，其特征在于，包括：

形成于所述發光元件的第1電極、

形成于所述基板的第2電極、和

將所述第1電極和所述第2電極接合的接合層，

其中，所述接合層含有第1接合金屬成分和與該第1接合金屬成分不同的第2接合金屬成分，

所述接合層具有合金層，

所述合金層由基底金屬成分與所述第1接合金屬成分和所述第2接合金屬成分中的一者的接合金屬成分的合金構成。

2.根據權利要求1所述的接合結構，其特征在于，

所述接合層在所述發光元件側和所述基板側具有一對所述合金層。

3.根據權利要求1所述的接合結構，其特征在于，

所述接合層具有由大致單一的金屬成分形成的金屬層，

所述金屬層由所述第1接合金屬成分和所述第2接合金屬成分的另一者的接合金屬成分形成。

4.根據權利要求1所述的接合結構，其特征在于，

所述接合層具有所述第1接合金屬成分和所述第2接合金屬成分混合而成的共晶層。

5.根據權利要求1所述的接合結構，其特征在于，

所述接合層具有由大致單一的金屬成分形成的金屬層和所述第1接合金屬成分和所述第2接合金屬成分混合而成的共晶層，

所述金屬層由所述第1接合金屬成分和所述第2接合金屬成分中的至少一者的金屬成分形成，

所述共晶層形成于所述金屬層的周圍。

6.根據權利要求1所述的接合結構，其特征在于，

所述接合層具有：形成于所述發光元件側的第1基底層和第1合金層；和形成于所述基板側的第2基底層和第2合金層，

所述第1合金層由所述第1基底層的第1基底金屬成分與所述第1接合金屬成分和所述第2接合金屬成分中的一者的接合金屬成分的合金構成，

所述第2合金層由所述第2基底層的第2基底金屬成分與所述一者的接合金屬成分的合金構成，

所述第1合金層和所述第2合金層的一者的合金層比另一者的合金層薄。

7.根據權利要求1所述的接合結構，其特征在于，

所述接合層具有：形成于所述發光元件側的第1基底層和第1合金層；和，形成于所述基板側的第2基底層和第2合金層，

所述第1合金層由所述第1基底層的第1基底金屬成分與所述第1接合金屬成分和所述第2接合金屬成分中的一者的接合金屬成分的合金構成，

所述第2合金層由所述第2基底層的第2基底金屬成分和所述一者的接合金屬成分的合金構成，

所述第1合金層和所述第2合金層從所述第1基底層和所述第2基底層呈輻射狀地形成。