[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010106222.7 | 申請日： | 2020-02-21 |
| 公開（公告）號： | CN112530952A | 公開（公告）日： | 2021-03-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 巖本敏幸 | 申請（專利權(quán)）人： | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/11517 | 分類號： | H01L27/11517;H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/11563 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿軍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 存儲 裝置 | ||
實施方式提供一種提高溝道形成區(qū)域的載流子遷移率的半導(dǎo)體存儲裝置。實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置具備：單結(jié)晶半導(dǎo)體基板；基底層，設(shè)于單結(jié)晶半導(dǎo)體基板上；層疊體，包括交替地層疊在基底層上的導(dǎo)電層和絕緣層和基底層；單結(jié)晶半導(dǎo)體層，沿與單結(jié)晶半導(dǎo)體基板的表面垂直的第一方向延伸，并貫通層疊體，一端位于比基底層靠單結(jié)晶半導(dǎo)體基板側(cè)的位置，與下凹的單結(jié)晶半導(dǎo)體基板的表面接觸；以及存儲器膜，設(shè)于單結(jié)晶半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層之間。單結(jié)晶半導(dǎo)體層的晶體取向和單結(jié)晶半導(dǎo)體基板的晶體取向相同。
本申請主張以第2019－169870號日本專利申請(申請日：2019年9月18日)為基礎(chǔ)申請的優(yōu)先權(quán)。本申請通過引用該基礎(chǔ)申請而包含基礎(chǔ)申請的全部內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實施方式涉及半導(dǎo)體存儲裝置。
背景技術(shù)
已知在三維半導(dǎo)體存儲器等半導(dǎo)體存儲裝置中，將多晶硅等半導(dǎo)體層用于溝道形成區(qū)域。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的課題是，提供一種提高溝道形成區(qū)域的載流子遷移率的半導(dǎo)體存儲裝置。
實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置具備：單結(jié)晶半導(dǎo)體基板；基底層，設(shè)于單結(jié)晶半導(dǎo)體基板上；層疊體，包括交替地層疊在基底層上的導(dǎo)電層和絕緣層和基底層；單結(jié)晶半導(dǎo)體層，沿與單結(jié)晶半導(dǎo)體基板的表面垂直的第一方向延伸，并貫通層疊體，一端位于比基底層靠單結(jié)晶半導(dǎo)體基板側(cè)的位置，與下凹的單結(jié)晶半導(dǎo)體基板的表面接觸；以及存儲器膜，設(shè)于單結(jié)晶半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層之間。
單結(jié)晶半導(dǎo)體層的晶體取向和單結(jié)晶半導(dǎo)體基板的晶體取向相同。
附圖說明
圖1是用于說明半導(dǎo)體存儲裝置的構(gòu)造例的示意圖。
圖2是用于說明圖1所示的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法例的示意圖。
圖3是用于說明圖1所示的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法例的示意圖。
圖4是用于說明圖1所示的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法例的示意圖。
圖5是用于說明圖1所示的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法例的示意圖。
圖6是用于說明半導(dǎo)體存儲裝置的另一種構(gòu)造例的示意圖。
圖7是用于說明半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法例的示意圖。
圖8是用于說明半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法例的示意圖。
圖9是用于說明半導(dǎo)體存儲裝置的另一種構(gòu)造例的示意圖。
圖10是用于說明圖9所示的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法例的示意圖。
圖11是用于說明圖9所示的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法例的示意圖。
圖12是用于說明圖9所示的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法例的示意圖。
圖13是用于說明圖9所示的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法例的示意圖。
圖14是用于說明圖9所示的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法例的示意圖。
圖15是用于說明半導(dǎo)體存儲裝置的另一種構(gòu)造例的示意圖。
圖16是用于說明半導(dǎo)體存儲裝置的另一種構(gòu)造例的示意圖。
圖17是用于說明半導(dǎo)體存儲裝置的另一種構(gòu)造例的示意圖。
圖18是用于說明半導(dǎo)體存儲裝置的另一種構(gòu)造例的示意圖。
圖19是用于說明圖18所示的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法例的示意圖。
圖20是用于說明圖18所示的半導(dǎo)體存儲裝置的制造方法例的示意圖。
圖21是用于說明半導(dǎo)體存儲裝置的另一種構(gòu)造例的示意圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
