[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010106222.7 | 申請日： | 2020-02-21 |
| 公開（公告）號： | CN112530952A | 公開（公告）日： | 2021-03-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 巖本敏幸 | 申請（專利權(quán)）人： | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/11517 | 分類號： | H01L27/11517;H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/11563 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿軍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 存儲 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體存儲裝置，具備：
單結(jié)晶半導(dǎo)體基板；
基底層，設(shè)于所述單結(jié)晶半導(dǎo)體基板上；
層疊體，包括交替地層疊在所述基底層上的導(dǎo)電層和絕緣層和所述基底層；
單結(jié)晶半導(dǎo)體層，沿與所述單結(jié)晶半導(dǎo)體基板的表面垂直的第一方向延伸，并貫通所述層疊體，一端位于比所述基底層靠所述單結(jié)晶半導(dǎo)體基板側(cè)的位置，與下凹的所述單結(jié)晶半導(dǎo)體基板的表面接觸；以及
存儲器膜，設(shè)于所述單結(jié)晶半導(dǎo)體層和所述導(dǎo)電層之間，
所述單結(jié)晶半導(dǎo)體層的晶體取向和所述單結(jié)晶半導(dǎo)體基板的晶體取向相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
所述單結(jié)晶半導(dǎo)體層具有：
第一單結(jié)晶半導(dǎo)體層，一端位于比所述基底層靠所述單結(jié)晶半導(dǎo)體基板側(cè)的位置，與下凹的所述單結(jié)晶半導(dǎo)體基板的表面接觸，另一端位于所述基底層之間；以及
第二單結(jié)晶半導(dǎo)體層，一端與所述第一單結(jié)晶半導(dǎo)體層的所述另一端接觸，在與所述導(dǎo)電層之間形成存儲器單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
所述第一單結(jié)晶半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度比所述第二單結(jié)晶半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度高。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
在和所述第一單結(jié)晶半導(dǎo)體層的界面附近的所述第二單結(jié)晶半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度，比在所述存儲器單元附近的所述第二單結(jié)晶半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度高。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
所述雜質(zhì)包括硼。
6.根據(jù)權(quán)利要求2～4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
所述第二單結(jié)晶半導(dǎo)體層沿所述第一方向延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求2～4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
所述單結(jié)晶半導(dǎo)體層還具有一端與所述第二單結(jié)晶半導(dǎo)體層接觸的第三單結(jié)晶半導(dǎo)體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
所述半導(dǎo)體存儲裝置在所述基底層和最接近所述單結(jié)晶半導(dǎo)體基板的所述導(dǎo)電層之間還具備選擇柵極線。
9.一種半導(dǎo)體存儲裝置，具備：
單結(jié)晶半導(dǎo)體基板；
層間絕緣層，設(shè)于所述單結(jié)晶半導(dǎo)體基板上；
配線層，包括設(shè)于所述層間絕緣層上的單結(jié)晶層；
基底層，設(shè)于所述層間絕緣層上；
層疊體，包括交替地層疊在所述基底層上的導(dǎo)電層和絕緣層和所述基底層；
單結(jié)晶半導(dǎo)體層，沿與所述單結(jié)晶半導(dǎo)體基板的表面垂直的第一方向延伸，并貫通所述層疊體，一端與所述配線層接觸；以及
存儲器膜，設(shè)于所述導(dǎo)電層和所述單結(jié)晶半導(dǎo)體層之間，
所述單結(jié)晶半導(dǎo)體層的晶體取向和所述單結(jié)晶層的晶體取向相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
所述半導(dǎo)體存儲裝置還具備觸媒層，該觸媒層設(shè)于所述層間絕緣層上，含有與所述配線層接觸的金屬觸媒。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
所述單結(jié)晶半導(dǎo)體層的所述金屬觸媒的濃度比所述單結(jié)晶層的所述金屬觸媒的濃度低。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
所述單結(jié)晶層包括：
第一單結(jié)晶層，與所述觸媒層相分離，并且與所述單結(jié)晶半導(dǎo)體層接觸；以及
第二單結(jié)晶層，與所述第一單結(jié)晶層相分離，并且與所述觸媒層接觸。
13.根據(jù)權(quán)利要求1～4、9～11中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體存儲裝置，
所述單結(jié)晶半導(dǎo)體層含有氫，
所述單結(jié)晶半導(dǎo)體層的氫濃度比所述單結(jié)晶半導(dǎo)體基板的氫濃度高。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
