[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010105340.6
• 申請(qǐng)日: 2020-02-14
• 公開（公告）號(hào): CN112542192A
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 武木田秀人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/04
• 分類號(hào): G11C16/04;H01L27/11556;H01L27/11582
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，具備：

第1單元區(qū)域，具備沿著第1方向相互有間隔地積層的多個(gè)第1導(dǎo)電體層、及在所述多個(gè)第1導(dǎo)電體層內(nèi)在所述第1方向上延伸的第1半導(dǎo)體層，且所述多個(gè)第1導(dǎo)電體層與所述第1半導(dǎo)體層的交點(diǎn)分別構(gòu)成存儲(chǔ)單元；

第2單元區(qū)域，具備沿著所述第1方向相互有間隔地積層的多個(gè)第2導(dǎo)電體層、及在所述多個(gè)第2導(dǎo)電體層內(nèi)在所述第1方向上延伸的第2半導(dǎo)體層，且所述多個(gè)第2導(dǎo)電體層與所述第2半導(dǎo)體層的交點(diǎn)分別構(gòu)成存儲(chǔ)單元；以及

第1連接區(qū)域，在與所述第1方向交叉的第2方向上配置在所述第1單元區(qū)域與所述第2單元區(qū)域之間，且具備第1橋接區(qū)域及第1階梯區(qū)域，在所述第1橋接區(qū)域，沿著所述第1方向相互有間隔地積層的多個(gè)第3導(dǎo)電體層分別電連接所述多個(gè)第1導(dǎo)電體層中的1層及所述多個(gè)第2導(dǎo)電體層中的1層，在所述第1階梯區(qū)域，所述多個(gè)第3導(dǎo)電體層分別具備用來設(shè)置第1接觸插塞的階臺(tái)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中

所述第1階梯區(qū)域在與所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上連接于所述第1橋接區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中

第1連接區(qū)域更具備第1副通道區(qū)域，所述第1副通道區(qū)域在所述第2方向上與所述第1橋接區(qū)域及所述第1階梯區(qū)域相鄰，設(shè)置著在所述多個(gè)第3導(dǎo)電體層內(nèi)在所述第1方向上延伸的第2接觸插塞。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中

在所述第1副通道區(qū)域，所述多個(gè)第3導(dǎo)電體層分別電連接所述多個(gè)第1導(dǎo)電體層中的1層及所述多個(gè)第2導(dǎo)電體層中的1層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其具備：

第1狹縫，在所述第3方向上，與所述第1單元區(qū)域、所述第1連接區(qū)域、及所述第2單元區(qū)域相鄰；

第3單元區(qū)域，在所述第3方向上介隔所述第1狹縫與所述第1單元區(qū)域相鄰，且具備沿著所述第1方向相互有間隔地積層的多個(gè)第4導(dǎo)電體層、及在所述多個(gè)第4導(dǎo)電體層內(nèi)在所述第1方向上延伸的第3半導(dǎo)體層，所述多個(gè)第4導(dǎo)電體層與所述第3半導(dǎo)體層的交點(diǎn)分別構(gòu)成存儲(chǔ)單元；

第4單元區(qū)域，在所述第3方向上介隔所述第1狹縫與所述第2單元區(qū)域相鄰，且具備沿著所述第1方向相互有間隔地積層的多個(gè)第5導(dǎo)電體層、及在所述多個(gè)第5導(dǎo)電體層內(nèi)在所述第1方向上延伸的第4半導(dǎo)體層，所述多個(gè)第5導(dǎo)電體層與所述第4半導(dǎo)體層的交點(diǎn)分別構(gòu)成存儲(chǔ)單元；以及

第2連接區(qū)域，在所述第2方向上配置在所述第3單元區(qū)域與所述第4單元區(qū)域之間，且具備第2橋接區(qū)域、第2階梯區(qū)域及第2副通道區(qū)域，在所述第2橋接區(qū)域，沿著所述第1方向相互有間隔地積層的多個(gè)第6導(dǎo)電體層分別電連接所述多個(gè)第4導(dǎo)電體層中的1層及所述多個(gè)第5導(dǎo)電體層中的1層，在所述第2階梯區(qū)域，所述多個(gè)第6導(dǎo)電體層分別具備用來設(shè)置第3接觸插塞的階臺(tái)，且所述第2階梯區(qū)域在所述第3方向上連接于所述第2橋接區(qū)域，所述第2副通道區(qū)域在所述第2方向上與所述第2橋接區(qū)域及所述第2階梯區(qū)域相鄰，且設(shè)置著在所述多個(gè)第6導(dǎo)電體層內(nèi)在所述第1方向上延伸的第4接觸插塞。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中

所述第1橋接區(qū)域及所述第1階梯區(qū)域在所述第3方向上介隔所述第1狹縫與所述第2副通道區(qū)域相鄰，且

所述第2橋接區(qū)域及所述第2階梯區(qū)域在所述第3方向上介隔所述第1狹縫與所述第1副通道區(qū)域相鄰。