[發(fā)明專利]透光性導(dǎo)電薄膜

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010104843.1
• 申請(qǐng)日: 2020-02-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111607119A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梶原大輔;藤野望
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日東電工株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C08J7/044
• 分類號(hào): C08J7/044;C08L45/00
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

提供能夠兼顧良好的導(dǎo)電性及蝕刻性的透光性導(dǎo)電薄膜。透光性導(dǎo)電薄膜(1)具備：透明基材(2)、和配置于透明基材(2)的上側(cè)的透光性導(dǎo)電層(5)，透光性導(dǎo)電層(5)的厚度超過(guò)40nm，將透光性導(dǎo)電層(5)的載流子密度設(shè)為n×10¹⁹(/cm³)、霍爾遷移率設(shè)為μ(cm²/V·s)時(shí)，n相對(duì)于μ的比(n/μ)為4.0以上。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及透光性導(dǎo)電薄膜，詳細(xì)而言涉及適合用于光學(xué)用途的透光性導(dǎo)電薄膜。

背景技術(shù)

以往以來(lái)，具備透明導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電性薄膜被用于圖像顯示裝置內(nèi)的觸摸面板用基材等。例如，專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了具備高分子薄膜和由銦-錫復(fù)合氧化物(ITO)形成的透明導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電性薄膜。

通常，用作觸摸面板用基材時(shí)，通過(guò)蝕刻將透明導(dǎo)電層圖案化為觸摸輸入?yún)^(qū)域的期望的圖案(例如，電極圖案、布線圖案)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2017-71850號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問(wèn)題

然而，對(duì)于透明導(dǎo)電性薄膜，為了進(jìn)行低電阻化從而使導(dǎo)電性良好，研究將ITO等透明導(dǎo)電層厚膜化。但是，若增厚透明導(dǎo)電層，則會(huì)產(chǎn)生蝕刻時(shí)間增加的不良情況。即，蝕刻性差。其結(jié)果，具備期望的圖案的觸摸面板用基材的生產(chǎn)率差。

本發(fā)明提供能夠兼顧良好的導(dǎo)電性及蝕刻性的透光性導(dǎo)電薄膜。

用于解決問(wèn)題的方案

本發(fā)明[1]包含一種透光性導(dǎo)電薄膜，其具備：透明基材、和配置于前述透明基材的厚度方向一側(cè)的透光性導(dǎo)電層，前述透光性導(dǎo)電層的厚度超過(guò)40nm，將前述透光性導(dǎo)電層的載流子密度設(shè)為n×10¹⁹(/cm³)、霍爾遷移率設(shè)為μ(cm²/V·s)時(shí)，n相對(duì)于μ的比(n/μ)為4.0以上。

本發(fā)明[2]包含[1]所述的透光性導(dǎo)電薄膜，其中，前述透光性導(dǎo)電層為結(jié)晶質(zhì)。

本發(fā)明[3]包含[1]或[2]所述的透光性導(dǎo)電薄膜，其中，前述透光性導(dǎo)電層含有銦系無(wú)機(jī)氧化物。

本發(fā)明[4]包含[3]所述的透光性導(dǎo)電薄膜，其中，前述透光性導(dǎo)電層在厚度方向具備：雜質(zhì)無(wú)機(jī)元素相對(duì)于銦的質(zhì)量比為0.05以上的第1區(qū)域、和雜質(zhì)無(wú)機(jī)元素相對(duì)于銦的質(zhì)量比不足0.05的第2區(qū)域。

本發(fā)明[5]包含[1]～[4]中任一項(xiàng)所述的透光性導(dǎo)電薄膜，其中，前述透光性導(dǎo)電層的載流子密度為50×10¹⁹(/cm³)以上且170×10¹⁹(/cm³)以下、霍爾遷移率為5(cm²/V·s)以上且40(cm²/V·s)以下。

本發(fā)明[6]包含[1]～[5]中任一項(xiàng)所述的透光性導(dǎo)電薄膜，其中，前述透光性導(dǎo)電層被圖案化。

發(fā)明的效果

利用本發(fā)明的透光性導(dǎo)電薄膜，導(dǎo)電性良好，并且能夠以良好的速度對(duì)透光性導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻。

附圖說(shuō)明

圖1示出本發(fā)明的透光性導(dǎo)電薄膜的一實(shí)施方式的截面圖。

圖2示出對(duì)圖1所示的透光性導(dǎo)電薄膜進(jìn)行了圖案化的圖案化透光性導(dǎo)電薄膜的截面圖。

圖3示出繪制n相對(duì)于μ的比與蝕刻速率的關(guān)系而成的圖。