[發明專利]透光性導電薄膜在審
| 申請號： | 202010104843.1 | 申請日： | 2020-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN111607119A | 公開（公告）日： | 2020-09-01 |
| 發明（設計）人： | 梶原大輔;藤野望 | 申請（專利權）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | C08J7/044 | 分類號： | C08J7/044;C08L45/00 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 透光 導電 薄膜 | ||
1.一種透光性導電薄膜，其特征在于，具備：透明基材、和配置于所述透明基材的厚度方向一側的透光性導電層，
所述透光性導電層的厚度超過40nm，
將所述透光性導電層的載流子密度設為n×1019(/cm3)、霍爾遷移率設為μ(cm2/V·s)時，
n相對于μ的比即n/μ為4.0以上。
2.根據權利要求1所述的透光性導電薄膜，其特征在于，所述透光性導電層為結晶質。
3.根據權利要求1所述的透光性導電薄膜，其特征在于，所述透光性導電層含有銦系無機氧化物。
4.根據權利要求2所述的透光性導電薄膜，其特征在于，所述透光性導電層含有銦系無機氧化物。
5.根據權利要求3所述的透光性導電薄膜，其特征在于，所述透光性導電層在厚度方向具備：雜質無機元素相對于銦的質量比為0.05以上的第1區域、和雜質無機元素相對于銦的質量比不足0.05的第2區域。
6.根據權利要求4所述的透光性導電薄膜，其特征在于，所述透光性導電層在厚度方向具備：雜質無機元素相對于銦的質量比為0.05以上的第1區域、和雜質無機元素相對于銦的質量比不足0.05的第2區域。
7.根據權利要求1所述的透光性導電薄膜，其特征在于，所述透光性導電層的載流子密度為50×1019(/cm3)以上且170×1019(/cm3)以下、
霍爾遷移率為5(cm2/V·s)以上且40(cm2/V·s)以下。
8.根據權利要求2所述的透光性導電薄膜，其特征在于，所述透光性導電層的載流子密度為50×1019(/cm3)以上且170×1019(/cm3)以下、
霍爾遷移率為5(cm2/V·s)以上且40(cm2/V·s)以下。
9.根據權利要求3所述的透光性導電薄膜，其特征在于，所述透光性導電層的載流子密度為50×1019(/cm3)以上且170×1019(/cm3)以下、
霍爾遷移率為5(cm2/V·s)以上且40(cm2/V·s)以下。
10.根據權利要求1～9中任一項所述的透光性導電薄膜，其特征在于，所述透光性導電層被圖案化。
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