[發明專利]無刷電機控制器在審
| 申請號: | 202010104199.8 | 申請日: | 2020-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN111917342A | 公開(公告)日: | 2020-11-10 |
| 發明(設計)人: | 梁玉泉 | 申請(專利權)人: | 梁玉泉 |
| 主分類號: | H02P6/00 | 分類號: | H02P6/00;H05K7/20 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518125 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電機 控制器 | ||
1.本發明是關于無刷電機控制器方面,其特征是,驅動方法,用分立元件組成一成驅動,低壓用電阻器分壓式,高壓用光耦器方法改變驅動;在MCU里面沒有比較器功能,無感的控制方式用比較器電路部分處理信號,再把信號傳到MCU中;上外殼與散熱片組合在一起又能把電路板的熱量導到散熱片上并且又在把電路板導線引到外面,小電流線以排線方式引到外面,在MOSFET管都用貼片組成,利用電路板的銅孔把熱源傳到低下,再加上散熱硅膠墊片把熱傳到散熱片上,要求多路個功能控制時,可以用排線方式把導線引出外面,用這個原理設計一個集成電路,體積小,元件少,高電壓下,MCU在低壓和低電位下驅動光耦器方法,再控制電機。
2.根據權利要求1所述:驅動方法,用分立元件組成一成驅動,低壓用電阻器分壓式,高壓用光耦器方法改變驅動的特征是,驅動MOSFET管部分,低壓時,主電路電源上管接P型MOSFET管(Q5),下管接N型MOSFET管(Q7),組成上下管方式驅動電機,在主電源上接一個電阻(R6),連接到P型MOSFET管(R7)的G極,再接一個電阻器后再接三極管(Q6)的集電極,MCU的信號控制三極管(Q6)的基極,然后三極管(6)發射極接地GND,下管的N型MOSFET管的D極與上管MOSFET管(Q5)的S極相接,相接點(J3),與N型MOSFETE管(Q7),MCU的信號推動能力小,加上一個三極管(Q8)再推動N型MOSFET管(Q7);高壓驅動MOSFET管,用光耦器加升壓方法驅動MOSFET管,兩個N型MOSFET管相接(Q19,Q21),中間接點是(J4),上管MOSFET管G極接一個P型三極管(Q20)集電極,在中間點(J4)與P型三極管(Q20)之間接一個電容(C30),然后在P型三極管(Q20)發射極接一個二極管(D1),在P型三極管的G極與發射極之間接一個電阻器(R59),在P型三極管的G極接一個光耦器(Q2)4腳,光耦器(Q2)的三腳接中間點(J4),光耦器(Q2)兩腳接MCU信號控制,MOSFET管(Q21),的G極在MCU電壓推動低下,加一個三極管(Q22)。
3.根據權利要求1所述:在MCU里面沒有比較器功能,無感的控制方式用比較器電路部分處理信號,再把信號傳到MCU中的特征是:在三個比較器(Q9A,Q9B,Q9C)中,(B1),(B2),(B3)無刷電機三相電壓點經過三個電阻器(R13,R15,R17)分別接比較器(Q9A)接5腳,比較器(Q9B)接7腳,比較器(Q9C)的9腳,再接兩三元件,一組是電阻器(R14,R16,R18),然后再接到比較器(Q9A,Q9B,Q9C)的(4)腳,(6)腳(8)腳,二組是接電阻器(R19,R20,R21)接地GND回路,三組電容器(C3,C4,C5)接地GND回路。
4.根據權利要求1所述:上外殼與散熱片組合在一起又能把電路板的熱量導到散熱片上并且又在把電路板導線引到外面,小電流線以排線方式引到外面,在MOSFET管都用貼片組成,利用電路板的銅孔把熱源傳到低下,再加上散熱硅膠墊片把熱傳到散熱片上,要求多路個功能控制時,可以用排線方式把導線引出外面,其特征是:上外殼五個面,與下面的散片的一個面組一個可以防潮,防污物,保護電路板的合子,電路板里面,在上外殼中的一個面開一個長方形口,讓里面的電路板電源和信號線導出外面,在電路板的電源線,電機控制線,功能線中,把這些線盡可能變組成排線組(4),引到外面后,排線組(4)分成電機控制線頭端(6),一些功能線接線頭端(6),電源線與電機相線整理后,就組成一個排線組,在長方形口剛好壓排線組(4),組成一個防一般水和潮入到電路板內。
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