[發明專利]一種顯示面板及其制作方法

在審

• 申請號: 202010104008.8
• 申請日: 2020-02-20
• 公開（公告）號: CN111276527A
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 林振國;張鵬
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

本申請提供一種顯示面板及其制作方法，該顯示面板包括：襯底；設置于襯底上的TFT器件層，TFT器件層包括薄膜晶體管和電容；發光層器件層設置于TFT器件層上；薄膜封裝層設置于發光層器件層上；其中，該電容為透明電容。由于本申請的電容采用透明電容，因此可以直接置于顯示區域，從而解決大尺寸顯示面板的像素開口率較低的問題。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種顯示面板及其制作方法。

背景技術

為了制備大尺寸高分辨率底發射OLED或QLED顯示面板，需要降低顯示面板結構中像素的大小，即薄膜晶體管(TFT)、電容以及走線盡量占比少，以增加像素透光區域的面積。然而每個像素中需要TFT區域，電容區域，發光區域與走線區域。但是TFT區域、電容區域、發光區域與走線區域需要一定的尺寸保證功能，所以減小的幅度有限，依然會占用一定的像素區域，從而影響顯示面板的開口率。

因此，現有技術存在缺陷，急需解決。

發明內容

本申請提供一種顯示面板及其制作方法，能夠解決大尺寸高分辨率的顯示面板像素開口率低的問題。

為解決上述問題，本申請提供的技術方案如下：

本申請提供一種顯示面板，包括：

襯底；

TFT器件層，設置于所述襯底上，包括薄膜晶體管和電容；

發光層器件層，設置于所述TFT器件層上；

薄膜封裝層，設置于所述發光層器件層上；

其中，所述電容為透明電容。

在本申請的顯示面板中，所述電容包括相對設置且相互絕緣的第一電極和第二電極，其中所述第二電極與所述薄膜晶體管的源/漏極同層且電連接，所述第一電極與所述薄膜晶體管的有源層同層且相間隔設置。

在本申請的顯示面板中，所述第一電極與所述有源層的材料相同，并且所述第一電極是通過導體化后形成的。

在本申請的顯示面板中，所述源/漏極包括層疊的透明電極和金屬電極，所述透明電極與所述有源層接觸，所述金屬電極位于所述透明電極之上。

在本申請的顯示面板中，所述透明電極的延伸部的至少一部分與所述第一電極重疊。

在本申請的顯示面板中，所述第二電極包括所述透明電極延伸至所述金屬電極外的部分。

在本申請的顯示面板中，所述顯示面板的發光層器件層的陽極包括所述第二電極。

在本申請的顯示面板中，所述電容位于所述顯示面板對應顯示區的位置。

在本申請的顯示面板中，所述有源層包括溝道區和位于所述溝道區兩側的離子摻雜區，所述有源層上設置有柵絕緣層和柵極，所述柵絕緣層和所述柵極均對應所述溝道區設置。

本申請還提供一種顯示面板的制作方法，所述方法包括以下步驟：

步驟S1，在襯底上形成圖案化的半導體構件；

步驟S2，在所述襯底和所述半導體構件上依次制備柵絕緣薄膜和柵極金屬薄膜，對所述半導體構件、所述柵絕緣薄膜和所述柵極金屬薄膜進行圖案化，以形成柵極和柵絕緣層以及形成相間隔的有源層和第一半導體圖案，并對所述有源層露出所述柵絕緣層的部分和所述第一半導體圖案進行導體化處理，分別形成有源層的離子摻雜區和第一電極；

步驟S3，在所述柵極上制備平坦層，對所述平坦層進行圖案化，以形成對應所述有源層的離子摻雜區的過孔；