[發(fā)明專利]一種顯示面板及其制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010104008.8
• 申請日: 2020-02-20
• 公開（公告）號: CN111276527A
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林振國;張鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種顯示面板，其特征在于，包括：

襯底；

TFT器件層，設(shè)置于所述襯底上，包括薄膜晶體管和電容；

發(fā)光層器件層，設(shè)置于所述TFT器件層上；

薄膜封裝層，設(shè)置于所述發(fā)光層器件層上；

其中，所述電容為透明電容。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述電容包括相對設(shè)置且相互絕緣的第一電極和第二電極，其中所述第二電極與所述薄膜晶體管的源/漏極同層且電連接，所述第一電極與所述薄膜晶體管的有源層同層且相間隔設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述第一電極與所述有源層的材料相同，并且所述第一電極是通過導(dǎo)體化后形成的。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述源/漏極包括層疊的透明電極和金屬電極，所述透明電極與所述有源層接觸，所述金屬電極位于所述透明電極之上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述透明電極的延伸部的至少一部分與所述第一電極重疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述第二電極包括所述透明電極延伸至所述金屬電極外的部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板的發(fā)光層器件層的陽極包括所述第二電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述電容位于所述顯示面板對應(yīng)顯示區(qū)的位置。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示面板，其特征在于，所述有源層包括溝道區(qū)和位于所述溝道區(qū)兩側(cè)的離子摻雜區(qū)，所述有源層上設(shè)置有柵絕緣層和柵極，所述柵絕緣層和所述柵極均對應(yīng)所述溝道區(qū)設(shè)置。

10.一種顯示面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

步驟S1，在襯底上形成圖案化的半導(dǎo)體構(gòu)件；

步驟S2，在所述襯底和所述半導(dǎo)體構(gòu)件上依次制備柵絕緣薄膜和柵極金屬薄膜，對所述半導(dǎo)體構(gòu)件、所述柵絕緣薄膜和所述柵極金屬薄膜進(jìn)行圖案化，以形成柵極和柵絕緣層以及形成相間隔的有源層和第一半導(dǎo)體圖案，并對所述有源層露出所述柵絕緣層的部分和所述第一半導(dǎo)體圖案進(jìn)行導(dǎo)體化處理，分別形成有源層的離子摻雜區(qū)和第一電極；

步驟S3，在所述柵極上制備平坦層，對所述平坦層進(jìn)行圖案化，以形成對應(yīng)所述有源層的離子摻雜區(qū)的過孔；

步驟S4，在所述平坦層上制備包括依次層疊的透明導(dǎo)電薄膜和金屬導(dǎo)電薄膜的復(fù)合導(dǎo)電薄膜，對所述復(fù)合導(dǎo)電薄膜圖案化，以形成對應(yīng)所述過孔的復(fù)合導(dǎo)電電極，所述復(fù)合導(dǎo)電電極的延伸部的至少一部分與所述第一電極重疊；

步驟S5，將所述復(fù)合導(dǎo)電電極的所述金屬導(dǎo)電薄膜中與所述第一電極對應(yīng)的部分去除，以形成與所述第一電極對應(yīng)的第二電極；

步驟S6，在所述第二電極上制備像素定義層并進(jìn)行圖案化，以形成對應(yīng)所述第二電極的像素孔；

步驟S7，在所述像素孔內(nèi)制備發(fā)光層，在所述發(fā)光層和所述像素定義層上制備陰極；

步驟S8，在所述陰極上制備薄膜封裝層。