[發明專利]半導體裝置和制造半導體裝置的方法在審
| 申請號: | 202010103533.8 | 申請日: | 2020-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN111613541A | 公開(公告)日: | 2020-09-01 |
| 發明(設計)人: | 拉馬肯斯·阿拉帕蒂;達雷爾·貝克;安東尼·大桂諾 | 申請(專利權)人: | 安靠科技新加坡控股私人有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/31;H01S5/028 |
| 代理公司: | 北京寰華知識產權代理有限公司 11408 | 代理人: | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址: | 新加*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 制造 方法 | ||
半導體裝置和制造半導體裝置的方法。封裝電子裝置結構包含具有主表面的襯底。半導體裝置連接到襯底的主表面,半導體裝置具有第一主表面、與第一主表面相對的第二主表面,以及在第一主表面與第二主表面之間延伸的側表面。封裝體包封半導體裝置的一部分,其中半導體裝置的側表面通過封裝體的側表面暴露。在一些實例中,半導體裝置的側表面是有源表面。在一些實例中,封裝體包括模制結構,模制結構接觸并覆蓋半導體裝置的第一主表面。
本申請案主張2019年2月23日申請的第16/283,752號美國專利申請案的優先權,所述申請以引用的方式并入本文中。
技術領域
本公開大體上涉及電子裝置,且更確切地說,涉及半導體封裝、其結構以及形成半導體封裝的方法。
背景技術
先前的半導體封裝以及形成半導體封裝的方法是不適當的,例如,導致成本過高、熱性能差、可靠性降低、性能相對低或封裝尺寸太大。更具體來說,一些封裝半導體裝置包含例如傳感器或光學裝置的半導體裝置,所述半導體裝置需要將裝置中作為有源表面的一個或多個側表面暴露于封裝的外部。此類裝置包含例如激光裝置,所述激光裝置可以并入到光探測和測距(“LIDAR”)系統中。用于生產其中半導體裝置的一個或多個側表面暴露的封裝半導體裝置的前述方法產生較差結果,問題包含損壞半導體裝置和導電互連件,例如,引線鍵合。另外,導電互連件已通過開放的側表面或在封裝的空腔內暴露于環境,從而產生可靠性問題。通過比較此類方法與本公開并參考圖式,所屬領域的普通技術人員將顯而易見常規和傳統方法的其它限制和缺點。
因此,希望具有一種封裝結構和方法,所述封裝結構和方法提供一種克服現有技術的缺點的封裝電子裝置。還希望結構和方法容易地并入到制造流程中,容納多種裸片互連方案并且具有成本效益。
發明內容
除了其它特征之外,本說明書包含封裝電子裝置結構以及相關聯方法,其包括具有暴露于封閉結構的側表面中的有源側表面的電子裝置。在一些實例中,封閉結構包括模制封裝體。在其它實例中,封閉結構包括蓋結構。在兩個結構中,保護例如導電互連結構的元件免受環境影響,以與前述裝置相比提高可靠性。封裝電子裝置結構可以容納多種裸片互連方案。相關聯方法可以并入到標準制造流程中,以提供節約成本的集成方案。
更具體來說,在一個實例中,用于形成封裝電子裝置結構的方法包括提供具有主表面的襯底。所述方法包含將第一裝置附接到襯底的主表面。所述方法包括形成包封第一裝置的一部分的封裝體,其中第一裝置的側表面暴露于封裝體外部。在一些實例中,附接第一裝置包括附接半導體裝置,半導體裝置具有發射極區作為暴露于封裝體外部的半導體裝置的側表面的一部分。在一些實例中,所述方法包含將第二裝置附接到與第一裝置間隔開的主表面,以在第一裝置與第二裝置之間提供間隙;以及形成封裝體包括形成封裝體,使得間隙不含封裝體。在一些實例中,形成封裝體包括:放置阻擋結構以包圍間隙;以及將封裝體模制到第一裝置的至少一部分上。在一些實例中,放置阻擋結構包括放置具有跨越間隙延伸的部分的模套工具,模套工具具有安置于模套工具與第一裝置和第二裝置之間的保護膜。在一些實例中,第一裝置包括第一半導體裝置。在一些實例中,第二裝置包括虛設裝置。在一些實例中,第二裝置包括第二半導體裝置。在一些實例中,通過間隙分離襯底。在一些實例中,將第一裝置電連接到襯底,其中:第一裝置的側表面包含發射極區。在一些實例中,電連接包括將導電互連結構附接到第一裝置和襯底;以及形成封裝體包括形成模制結構,模制結構用封裝體覆蓋導電互連結構。在一些實例中,形成封裝體包括覆蓋第一裝置的至少50%的主表面。在一些實例中,形成封裝體包括提供具有封裝體側表面的封裝體,其中暴露第一裝置的側表面;以及封裝體側表面在截面圖中具有傾斜形狀。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





