[發(fā)明專利]半導體裝置和制造半導體裝置的方法

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• 申請日: 2020-02-20
• 公開（公告）號: CN111613541A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發(fā)明（設計）人: 拉馬肯斯·阿拉帕蒂;達雷爾·貝克;安東尼·大桂諾
• 申請（專利權）人: 安靠科技新加坡控股私人有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01S5/028
• 代理公司: 北京寰華知識產權代理有限公司 11408
• 代理人: 何尤玉;郭仁建

1.一種用于形成封裝電子裝置結構的方法，包括：

提供具有主表面的襯底；

將第一裝置附接到所述襯底的所述主表面；以及

形成包封所述第一裝置的一部分的封裝體，其中所述第一裝置的側表面暴露于所述封裝體的外部。

2.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

將第二裝置附接到與所述第一裝置間隔開的所述主表面，以在所述第一裝置與所述第二裝置之間提供間隙，其中：

形成所述封裝體包括形成所述封裝體，使得所述間隙不含所述封裝體。

3.根據權利要求2所述的方法，其中：

形成所述封裝體包括：

放置阻擋結構以包圍所述間隙；以及

將所述封裝體模制到所述第一裝置的至少一部分上。

4.根據權利要求3所述的方法，其中：

放置所述阻擋結構包括放置具有跨越所述間隙延伸的部分的模套工具，所述模套工具具有安置于所述模套工具與所述第一裝置和所述第二裝置之間的保護膜。

5.根據權利要求2所述的方法，其中：

所述第一裝置包括第一半導體裝置。

6.根據權利要求5所述的方法，其中：

所述第二裝置包括虛設裝置。

7.根據權利要求5所述的方法，其中：

所述第二裝置包括第二半導體裝置。

8.根據權利要求2所述的方法，其進一步包括：

通過所述間隙分離所述襯底。

9.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

將所述第一裝置電連接到所述襯底，其中：

所述第一裝置的所述側表面包含發(fā)射極區(qū)。

10.根據權利要求9所述的方法，其中：

電連接包括將導電互連結構附接到所述第一裝置和所述襯底；以及

形成所述封裝體包括形成模制結構，所述模制結構用所述封裝體覆蓋所述導電互連結構。

11.根據權利要求1所述的方法，其中：

形成所述封裝體包括覆蓋所述第一裝置的至少50％的主表面。

12.根據權利要求1所述的方法，其中：

形成所述封裝體包括提供具有封裝體側表面的所述封裝體，其中暴露所述第一裝置的所述側表面；以及

所述封裝體側表面在截面圖中具有傾斜形狀。

13.一種封裝半導體裝置結構，包括：

襯底，所述襯底具有主表面；

半導體裝置，所述半導體裝置連接到所述襯底的所述主表面，所述半導體裝置具有第一主表面、與所述第一主表面相對的第二主表面，以及在所述第一主表面與所述第二主表面之間延伸的側表面；以及

封裝體，所述封裝體包封所述半導體裝置的一部分，其中所述半導體裝置的所述側表面通過所述封裝體的側表面暴露。

14.根據權利要求13所述的結構，其中：

所述封裝體包括模制結構，所述模制結構接觸并覆蓋所述半導體裝置的所述第一主表面的至少一部分。

15.根據權利要求13所述的結構，其中：

所述半導體裝置包括激光裝置；以及

所述半導體裝置的所述側表面包含發(fā)射極區(qū)。

16.根據權利要求13所述的結構，其進一步包括：

導電互連結構，所述導電互連結構將所述半導體裝置電連接到所述襯底，其中：

所述封裝體包封所述導電互連結構。