[發明專利]一種晶圓測試方法及裝置

有效

• 申請號: 202010103202.4
• 申請日: 2020-02-19
• 公開（公告）號: CN111257715B
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 諸舜杰;岳瑞芳;李宏亮
• 申請（專利權）人: 上海韋爾半導體股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R31/28;G01N21/95;H01L21/66
• 代理公司: 深圳睿臻知識產權代理事務所(普通合伙) 44684
• 代理人: 張海燕

本發明公開了一種晶圓測試方法及裝置，所述方法包括：獲取相同產品多個不同批次晶圓中的部分批次晶圓，每個批次中有多個晶圓，每個所述晶圓上具有若干個芯片；獲取每個所述部分批次晶圓中的一個晶圓，對每個所述部分批次晶圓中的一個晶圓依次進行探針測試和形貌測試后，獲取部分批次中的每個批次的晶圓測試圖和優化晶圓測試圖，其中，下一批次晶圓根據上一批次的優化晶圓測試圖進行探針測試；對部分批次中的每個批次晶圓測試圖統計分析獲取最終的晶圓測試圖；本發明還公開了一種晶圓測試裝置，本發明公開的技術方案有效提高晶圓測試效率，減少探針損傷。

技術領域

本發明屬于半導體測試技術領域，特別涉及一種晶圓測試方法及裝置。

背景技術

半導體組件的制造過程，大致上可分為晶圓制造、晶圓測試、封裝及最后的測試，晶圓制造是在硅晶圓上制作電子電路組件，制作完成之后，晶圓上變成一個個的晶粒(die)，接著晶圓測試步驟針對晶粒作電性測試，將不合格的晶粒淘汰，并將晶圓切割成若干個晶粒，而封裝是將合格的晶粒經過包裝與打線的步驟，使晶粒成為集成電路(Integrated Circuit，IC)，最后要再經過電性測試確保集成電路的質量。

關于晶圓測試技術，依晶圓制造的不同階段，分為芯片測試與成品測試兩種。前者是以探針在產品仍處于晶圓制造階段時進行的芯片良莠測試。對體積更小、功能更強的芯片的需求正推動集成電路產業的發展，同時也推動著集成電路設計和測試的發展。降低測試成本成為晶圓測試發展的首要目標。

現有技術中，對每個晶圓上的芯片都需要進行探針測試，這樣降低了測試效率，測試成本較高。

發明內容

本發明實施例的目的在于克服上述問題或者至少部分地解決或緩減解決上述問題，通過本發明公開的技術方案可以有效解決測試效率低下的問題。

第一方面，本發明公開了一種晶圓測試方法，包括：

獲取相同產品多個不同批次晶圓中的部分批次晶圓，每個批次中有多個晶圓，每個所述晶圓上具有若干個芯片；

獲取每個所述部分批次晶圓中的一個晶圓，對每個所述部分批次晶圓中的一個晶圓依次進行探針測試和形貌測試后，獲取部分批次中的每個批次的晶圓測試圖和優化晶圓測試圖，其中，下一批次晶圓根據上一批次的優化晶圓測試圖進行探針測試；

對部分批次中的每個批次晶圓測試圖統計分析獲取最終的晶圓測試圖；

根據獲得最終的晶圓測試圖對相同產品其它晶圓進行探針測試。

優選地，所述對所述每個所述部分批次晶圓中的一個晶圓依次進行探針測試和形貌測試后，獲取部分批次中的每個批次的晶圓測試圖和優化晶圓測試圖，包括：

對每個所述部分批次晶圓中第一批次晶圓中的的一個晶圓進行探針測試，獲得第一晶圓測試圖，所述第一晶圓測試圖上設置有失效芯片位置和有效芯片位置；

對所述第一晶圓測試圖上的失效芯片進行形貌測試，獲得形貌測試結果，當第一晶圓測試圖上的失效芯片經形貌測試合格時，在所述第一晶圓測試圖上將失效芯片位置修改為有效芯片位置，獲得并存儲第一優化晶圓測試圖；

根據第一優化晶圓測試圖對所述部分批次晶圓中的第二批次晶圓中的一個晶圓進行探針測試，獲取第二晶圓測試圖，所述第二晶圓測試圖上標注有失效芯片位置和有效芯片位置；

對所述第二晶圓測試圖上的失效芯片進行形貌測試，獲得形貌測試結果，當第二晶圓測試圖上的失效芯片經形貌測試合格時，在所述第二晶圓測試圖上將失效芯片位置修改為有效芯片位置，獲得并存儲第二優化晶圓測試圖；

重復上述步驟直到將獲取每個所述部分批次晶圓中的一個晶圓測試完畢，獲取部分批次中的每個批次晶圓的優化晶圓測試圖。