[發明專利]一種晶圓測試方法及裝置

有效

• 申請號: 202010103202.4
• 申請日: 2020-02-19
• 公開（公告）號: CN111257715B
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 諸舜杰;岳瑞芳;李宏亮
• 申請（專利權）人: 上海韋爾半導體股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R31/28;G01N21/95;H01L21/66
• 代理公司: 深圳睿臻知識產權代理事務所(普通合伙) 44684
• 代理人: 張海燕

1.一種晶圓測試方法，其特征在于，包括：

獲取相同產品多個不同批次晶圓中的部分批次晶圓，每個批次中有多個晶圓，每個所述晶圓上具有若干個芯片；

獲取每個所述部分批次晶圓中的一個晶圓，對每個所述部分批次晶圓中的一個晶圓依次進行探針測試和形貌測試后，獲取部分批次中的每個批次的晶圓測試圖和優化晶圓測試圖，其中，下一批次晶圓根據上一批次的優化晶圓測試圖進行探針測試；

對部分批次中的每個批次晶圓測試圖統計分析獲取最終的晶圓測試圖；

根據獲得最終的晶圓測試圖對相同產品其它晶圓進行探針測試；

所述對所述每個所述部分批次晶圓中的一個晶圓先進行探針測試，獲得晶圓測試圖，然后進行形貌測試后，根據形貌測試結果優化晶圓測試圖獲取部分批次中的每個批次的優化晶圓測試圖，包括以下步驟：

對每個所述部分批次晶圓中的第一批次晶圓中的一個晶圓進行探針測試，獲得第一晶圓測試圖，所述第一晶圓測試圖上設置有失效芯片位置和有效芯片位置；

對所述第一晶圓測試圖上的失效芯片進行形貌測試，獲得形貌測試結果，當第一晶圓測試圖上的失效芯片經形貌測試合格時，在所述第一晶圓測試圖上將失效芯片位置修改為有效芯片位置，獲得并存儲第一優化晶圓測試圖；

根據第一優化晶圓測試圖對所述部分批次晶圓中的第二批次晶圓中的一個晶圓進行探針測試，獲取第二晶圓測試圖，所述第二晶圓測試圖上標注有失效芯片位置和有效芯片位置；

對所述第二晶圓測試圖上的失效芯片進行形貌測試，獲得形貌測試結果，當第二晶圓測試圖上的失效芯片經形貌測試合格時，在所述第二晶圓測試圖上將失效芯片位置修改為有效芯片位置，獲得并存儲第二優化晶圓測試圖；

重復上述步驟直到將獲取每個所述部分批次晶圓中的一個晶圓測試完畢，獲取部分批次中的每個批次晶圓的晶圓測試圖和優化晶圓測試圖。

2.如權利要求1所述的一種晶圓測試方法，其特征在于，所述對所述每個所述部分批次晶圓中的一個晶圓先進行探針測試，獲得晶圓測試圖，然后進行形貌測試后，根據形貌測試結果優化晶圓測試圖獲取部分批次中的每個批次的優化晶圓測試圖，包括以下步驟：

對每個所述部分批次晶圓中的第一批次晶圓中的一個晶圓進行探針測試，獲得第一晶圓測試圖，所述第一晶圓測試圖上設置有失效芯片位置和有效芯片位置；

對所述第一晶圓測試圖上的失效芯片進行形貌測試，獲得形貌測試結果，當第一晶圓測試圖上的失效芯片經形貌測試合格時，在所述第一晶圓測試圖上將失效芯片位置修改為有效芯片位置，獲得并存儲第一優化晶圓測試圖；

根據第一優化晶圓測試圖對所述部分批次晶圓中的第二批次晶圓中的一個晶圓進行探針測試，獲取第二晶圓測試圖，所述第二晶圓測試圖上標注有失效芯片位置和有效芯片位置；

對所述第二晶圓測試圖上的失效芯片進行形貌測試，獲得形貌測試結果，將所述第二晶圓測試圖上的失效芯片進行形貌測試結果與所述第一優化晶圓測試圖進行對比，判斷在所述第一優化晶圓測試圖上失效芯片位置之外是否存在失效芯片，如果存在，則在所述第一優化晶圓測試圖上將有效芯片位置修改為無效芯片位置，判斷所述第一優化晶圓測試圖上失效芯片位置上是否存在有效芯片，如果存在，則在所述第一優化晶圓測試圖上將無效芯片位置修改為有效芯片位置，最終獲得并存儲第二優化晶圓測試圖；

重復上述步驟直到將獲取每個所述部分批次晶圓中的一個晶圓測試完畢，獲取部分批次中的每個批次晶圓的晶圓測試圖和優化晶圓測試圖。

3.如權利要求1或2所述的一種晶圓測試方法，其特征在于，所述部分批次晶圓為相同產品的五個批次。