[發明專利]一種紫外LED芯片及其制作方法在審
| 申請號： | 202010101658.7 | 申請日： | 2020-02-19 |
| 公開（公告）號： | CN111192945A | 公開（公告）日： | 2020-05-22 |
| 發明（設計）人： | 仇美懿;莊家銘 | 申請（專利權）人： | 佛山市國星半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/42 | 分類號： | H01L33/42;C23C14/08;C23C14/30 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡楓;李素蘭 |
| 地址： | 528200 廣東省佛山市南海區獅*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 紫外 led 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一種紫外LED芯片，包括襯底、設于襯底上的外延層、設于外延層上的透明導電層和電極結構、以及覆蓋在透明導電層和外延層上的保護層，其特征在于，所述透明導電層包括ITO層和AzO層，所述ITO層設于外延層和AzO層之間，所述ITO層的厚度為5～20nm，所述AzO層的厚度為150～500nm。
2.如權利要求1所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述ITO層的厚度為10～20nm，所述AzO層的厚度為200～300nm。
3.如權利要求1所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述保護層由能階大于6.4ev的透明材料制成。
4.如權利要求3所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述保護層由氮化硼制成，所述保護層的厚度為10～300nm。
5.如權利要求1所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述外延層包括依次設于襯底上的第一半導體層、有源層和第二半導體層，所述電極結構包括第一電極和第二電極，所述ITO層設置在第二半導體層上，所述第二電極設置在AzO層上，所述第一電極設置在第一半導體層上。
6.如權利要求5所述的紫外LED芯片，其特征在于，所述第二電極貫穿所述透明導電層，同時設置在AzO層和第二半導體層上。
7.一種紫外LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：
在襯底上形成外延層；
在外延層上形成透明導電層，所述透明導電層包括ITO層和AzO層，所述ITO層設于外延層和AzO層之間，所述ITO層的厚度為5～20nm，所述AzO層的厚度為150～500nm；
在外延層和透明導電層上形成保護層；
形成電極結構。
8.如權利要求7所述的紫外LED芯片的制作方法，其特征在于，所述透明導電層的制作方法包括：
采用電子槍蒸鍍工藝，在溫度為280～320℃，氧流量25～40sccm，壓力3*10-5～8*10-4torr的條件下，在外延層上形成ITO層；
采用電子槍蒸鍍工藝，在溫度為290～330℃，氧流量25～30sccm，壓力2*10-5～9*10-4torr的條件下，在ITO層上形成AzO層。
9.如權利要求7所述的紫外LED芯片的制作方法，其特征在于，所述保護層由能階大于6.4ev的透明材料制成，所述保護層的厚度為10～300nm。
10.如權利要求9所述的紫外LED芯片的制作方法，其特征在于，所述保護層的制作方法包括：
采用PECVD工藝，在溫度為200～300℃、壓力為200～500torr的條件下，通入TMB甲基硼與N2O，其中，TMB甲基硼與N2O的通入量比為1:3。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于佛山市國星半導體技術有限公司，未經佛山市國星半導體技術有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010101658.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
