[發明專利]一種紫外LED芯片及其制作方法

在審

• 申請號: 202010101658.7
• 申請日: 2020-02-19
• 公開（公告）號: CN111192945A
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: 仇美懿;莊家銘
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/42
• 分類號: H01L33/42;C23C14/08;C23C14/30
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓;李素蘭

本發明公開了一種紫外LED芯片及其制作方法，所述芯片包括襯底、設于襯底上的外延層、設于外延層上的透明導電層和電極結構、以及覆蓋在透明導電層和外延層上的保護層，其特征在于，所述透明導電層包括ITO層和AzO層，所述ITO層設于外延層和AzO層之間，所述ITO層的厚度為5～20nm，所述AzO層的厚度為150～500nm。本發明的透明導電層通過ITO層和AzO層的相互配合，有效提高芯片的出光效率和降低電壓。

技術領域

本發明涉及發光二極管技術領域，尤其涉及一種紫外LED芯片及其制作方法。

背景技術

發光二極管，英文單詞的縮寫LED，主要含義：LED＝Light Emitting Diode，是一種能夠將電能轉化為可見光的固態的半導體器件，作為照明器件，相對傳統照明器件，發光二極管有相當大優勢——壽命長、光效高、無輻射、低功耗、綠色環保。目前LED主要用于顯示屏、指示燈、背光源等領域。

為了減少藍光的公害，紫光的應用是健康照明的重要一環。但是現有LED制程所使用的材質，對于紫光的具有很強的吸收，嚴重影響紫外LED芯片的出光效率。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，提供一種紫外LED芯片，電壓低、亮度高。

本發明還要解決的技術問題在于，提供一種紫外LED芯片的制作方法，芯片電壓低、亮度高。

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種紫外LED芯片，包括襯底、設于襯底上的外延層、設于外延層上的透明導電層和電極結構、以及覆蓋在透明導電層和外延層上的保護層，所述透明導電層包括ITO層和AzO層，所述ITO層設于外延層和AzO層之間，所述ITO層的厚度為5～20nm，所述AzO層的厚度為150～500nm。

作為上述方案的改進，所述ITO層的厚度為10～20nm，所述AzO層的厚度為200～300nm。

作為上述方案的改進，所述保護層由能階大于6.4ev的透明材料制成。

作為上述方案的改進，所述保護層由氮化硼制成，所述保護層的厚度為10～300nm。

作為上述方案的改進，所述外延層包括依次設于襯底上的第一半導體層、有源層和第二半導體層，所述電極結構包括第一電極和第二電極，所述ITO層設置在第二半導體層上，所述第二電極設置在AzO層上，所述第一電極設置在第一半導體層上。

作為上述方案的改進，所述第二電極貫穿所述透明導電層，同時設置在AzO層和第二半導體層上。

相應地，本發明還提供了一種紫外LED芯片的制作方法，包括：

在襯底上形成外延層；

在外延層上形成透明導電層，所述透明導電層包括ITO層和AzO層，所述ITO層設于外延層和AzO層之間，所述ITO層的厚度為5～20nm，所述AzO層的厚度為150～500nm；

在外延層和透明導電層上形成保護層；

形成電極結構。

作為上述方案的改進，所述透明導電層的制作方法包括：

采用電子槍蒸鍍工藝，在溫度為280～320℃，氧流量25～40sccm，壓力3*10^-5～8*10^-4torr的條件下，在外延層上形成ITO層；

采用電子槍蒸鍍工藝，在溫度為290～330℃，氧流量25～30sccm，壓力2*10^-5～9*10^-4torr的條件下，在ITO層上形成AzO層。

作為上述方案的改進，所述保護層由能階大于6.4ev的透明材料制成，所述保護層的厚度為10～300nm。