[發明專利]半導體裝置及針痕偏移檢測方法在審
| 申請號: | 202010101610.6 | 申請日: | 2020-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN113284815A | 公開(公告)日: | 2021-08-20 |
| 發明(設計)人: | 陳建勝;賴明宏;謝銘桓 | 申請(專利權)人: | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 王濤;湯在彥 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 偏移 檢測 方法 | ||
1.一種半導體裝置,其特征在于,所述裝置包含:
一第一測試墊,包含一中央部與多個周邊部,該些周邊部鄰近于該中央部的邊緣設置,該些周邊部彼此互不接觸,其中該第一測試墊具有多個檢測方位,且各該檢測方位上至少設有一個該周邊部;及
多個第二測試墊,各該第二測試墊通過一第一連接走線與該些周邊部的一者電連接,其中該第一測試墊與該些第二測試墊沿一設置方向設置。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,各該周邊部沿該中央部的該邊緣延伸以涵蓋至少二個該檢測方位。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置,其特征在于,各該周邊部包含一第一配置段,各該周邊部的該第一配置段位于該些檢測方位的一者上,且各該周邊部的該第一配置段與該中央部之間不具有另一該周邊部。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,該些檢測方位包含多個高機率檢測方位,且于各該高機率檢測方位上至少設有二個該周邊部。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,該中央部還通過一第二連接走線與該些周邊部中的一者電連接,以電連接至該些第二測試墊中的一者。
6.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,該第一測試墊的接觸面的所占范圍與各該第二測試墊的接觸面的所占范圍相同。
7.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,該第一測試墊、該些第二測試墊與該些第一連接走線通過同一金屬層制成。
8.一種針痕偏移檢測方法,其特征在于,所述方法包含:
利用一探針組接觸一半導體裝置,其中該半導體裝置包含一第一測試墊與多個第二測試墊,其中該第一測試墊包含一中央部與多個周邊部,該些周邊部鄰近于該中央部的邊緣設置,該些周邊部彼此互不接觸,該第一測試墊具有多個檢測方位,且各該檢測方位上至少設有一個該周邊部,其中各該第二測試墊通過一第一連接走線與該些周邊部的一者電連接,其中該探針組包含一第一探針與多個第二探針,該第一探針用以接觸該第一測試墊,該些第二探針用以接觸該些第二測試墊;
通過該第一探針輸出一測試信號;
利用該些第二探針進行檢測以得到多個檢測狀態;及
根據該些檢測狀態判斷該探針組的一下針位置。
9.根據權利要求8所述的針痕偏移檢測方法,其特征在于,判斷該探針組的該下針位置的步驟根據表示為接收到該測試信號的至少一個該檢測狀態決定出該探針組的該下針位置。
10.根據權利要求8所述的針痕偏移檢測方法,其特征在于,各該周邊部沿該中央部的該邊緣延伸以涵蓋至少二個該檢測方位。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





