[發明專利]一種功率控制電路

有效

• 申請號: 202010099884.6
• 申請日: 2020-02-18
• 公開（公告）號: CN111293993B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 劉熾鋒;蘇強;王啟明;奕江濤
• 申請（專利權）人: 廣州慧智微電子有限公司
• 主分類號: H03F3/189
• 分類號: H03F3/189;H03F3/20
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 王軍紅;張穎玲

本申請實施例公開了一種功率控制電路，包括：射頻信號通路包括：第一NMOS管柵極作為射頻信號輸入端，其漏極與第二NMOS管源極相連，其源極與接地端相連；第二NMOS管漏極作為射頻信號輸出端，并與第一電壓源相連；負反饋環路包括：第三NMOS管柵極與差分放大器輸出端相連，其源極與接地端相連，其漏極與第四NMOS管源極相連；第四NMOS管柵極與差分放大器反向輸入端相連，并與第二電壓源相連，其漏極與差分放大器正向輸入端相連，并與第一偏置電流源相連；第一NMOS管柵極與差分放大器輸出端相連；第二NMOS管柵極與第二電壓源相連；第二NMOS管與第四NMOS管工作在飽和區。如此，射頻信號通路不經過模擬信號，不影響第一NMOS管性能，同時提高輸出功率的控制精度。

技術領域

本申請涉及電子技術領域，尤其涉及一種功率控制電路。

背景技術

射頻功率放大器，也可簡稱功放。當功放處于飽和狀態時，則需功率控制電路來控制功放的輸出功率。所謂功率控制一般有兩種方式，分別是電流控制和電壓控制。其中，電流控制的方法是通過控制功放中放大管的柵極偏置電壓進而控制其偏置電流。如圖1為現有的功率控制電路的第一組結構示意圖。如圖1所示，MN3管的漏極與電流源IB相連，MN3管的漏極與柵極短接；MN1管的漏極與MN2管的源極相連，MN1管的柵極作為射頻信號的輸入端；MN3管的柵極與MN1管的柵極相連，且中間串聯一電阻R1，MN3管的源極與MN1管的源極均與接地端相連；MN2管的柵極與電壓源VG相連，且中間串聯一電阻R2，MN2管的漏極與電壓源VCC相連，且中間串聯一電感L，同時作為射頻信號的輸出端。基于上述電路連接方式導致客觀存在溝道調制效應，使得經過MN3的偏置電流IB鏡像到MN1時會引入較大的偏差，進而使飽和功率偏差較大。

如圖2為現有的功率控制電路的第二組成結構示意圖。如圖2所示，即在圖1的基礎上添加了一個差分放大器，具體地，差分放大器的正向輸入端與MN3管的漏極相連，差分放大器的反向輸入端與MN1管的漏極相連，差分放大器的輸出端與MN3管的柵極相連，且與電阻R1的一端相連。其他部分連接方式與如圖1中描述相同。其中，MN1管、MN3管和差分放大器構成一反饋環路。通過引入一個差分運放，使MN1和MN3管的漏端電壓相等，從而消除了溝道長度調制效應的影響，提高了電流控制精度。但是由于射頻功率放大管MN1在反饋環路中，使得一部分射頻信號通路會走過模擬信號，模擬信號會對射頻信號產生干擾，降低了射頻功率放大器的性能。

發明內容

使用功率控制電路提高射頻功率放大器的輸出功率的同時，存在溝道長度調制效應的影響和降低射頻放大器性能的問題，為解決上述問題，本申請實施例提供一種功率控制電路。

本申請的技術方案是這樣實現的：

本申請實施例提供一種功率控制電路，所述電路包括：射頻信號通路和負反饋環路；

所述射頻信號通路包括：第一NMOS管和第二NMOS管；

所述第一NMOS管的柵極作為所述射頻信號的輸入端，所述第一NMOS管的漏極與所述第二NMOS管的源極相連，所述第一NMOS管的源極與接地端相連；所述第二NMOS管的漏極作為所述射頻信號的輸出端，同時與第一電壓源相連；

所述負反饋環路包括：第三NMOS管、第四NMOS管和差分放大器；

所述第三NMOS管的柵極與所述差分放大器的輸出端相連，所述第三NMOS管的源極與所述接地端相連，所述第三NMOS管的漏極與所述第四NMOS管的源極相連；所述第四NMOS管的柵極與所述差分放大器的反向輸入端相連，同時與第二電壓源相連，所述第四NMOS管的漏極與所述差分放大器的正向輸入端相連，同時與第一偏置電流源相連；

所述第一NMOS管的柵極與所述差分放大器的輸出端相連；所述第二NMOS管的柵極與所述第二電壓源相連；

所述第二NMOS管與所述第四NMOS管工作在飽和區，實現對所述第一NMOS管實現了功率控制。