[發(fā)明專利]一種功率控制電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010099884.6
• 申請日: 2020-02-18
• 公開（公告）號: CN111293993B
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉熾鋒;蘇強;王啟明;奕江濤
• 申請（專利權(quán)）人: 廣州慧智微電子有限公司
• 主分類號: H03F3/189
• 分類號: H03F3/189;H03F3/20
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 王軍紅;張穎玲

1.一種功率控制電路，其特征在于，所述功率控制電路包括：射頻信號通路和負(fù)反饋環(huán)路；

所述射頻信號通路包括：第一NMOS管和第二NMOS管；

所述第一NMOS管的柵極作為所述射頻信號的輸入端，所述第一NMOS管的漏極與所述第二NMOS管的源極相連，所述第一NMOS管的源極與接地端相連；所述第二NMOS管的漏極作為所述射頻信號的輸出端，同時與第一電壓源相連；

所述負(fù)反饋環(huán)路包括：第三NMOS管、第四NMOS管和差分放大器；

所述第三NMOS管的柵極與所述差分放大器的輸出端相連，所述第三NMOS管的源極與所述接地端相連，所述第三NMOS管的漏極與所述第四NMOS管的源極相連；所述第四NMOS管的柵極與所述差分放大器的反向輸入端相連，同時與第二電壓源相連，所述第四NMOS管的漏極與所述差分放大器的正向輸入端相連，同時與第一偏置電流源相連；

所述第一NMOS管的柵極與所述差分放大器的輸出端相連；所述第二NMOS管的柵極與所述第二電壓源相連；

所述第二NMOS管與所述第四NMOS管工作在飽和區(qū)，實現(xiàn)對所述第一NMOS管的功率控制。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率控制電路，其特征在于，

所述第三NMOS管與所述第一NMOS管的寬長比的比值和所述第四NMOS管與所述第二NMOS管的寬長比的比值相等。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率控制電路，其特征在于，

所述功率控制電路還包括：第一電阻；

所述第一NMOS管的柵極通過所述第一電阻與所述差分放大器的輸出端相連。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的功率控制電路，其特征在于，

所述功率控制電路還包括：第二電阻；

所述第二NMOS管的柵極通過所述第二電阻與所述第二電壓源相連。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率控制電路，其特征在于，

所述功率控制電路還包括：電感；

所述第二NMOS管的漏極通過所述電感與所述第一電壓源相連。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率控制電路，其特征在于，

當(dāng)所述第四NMOS管的漏極電壓等于柵極電壓，則所述第四NMOS管工作在飽和區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的功率控制電路，其特征在于，

所述負(fù)反饋環(huán)路包括：第五NMOS管；

所述第四NMOS管的柵極通過所述第五NMOS管與所述差分放大器的反向輸入端相連；

所述第四NMOS管的柵極與所述第五NMOS管的漏極相連；所述第五NMOS管的源極與所述差分放大器的反向輸入端相連；所述第五NMOS管的柵極和漏極短接；

所述第五NMOS管的源極與第二偏置電流源的第一端相連；所述第二偏置電流源的第二端與所述接地端相連。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率控制電路，其特征在于，

所述第五NMOS管的閾值電壓與所述第四NMOS管的閾值電壓相等；

所述第五NMOS管工作在弱反型區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率控制電路，其特征在于，

當(dāng)所述第四NMOS管的漏極電壓等于柵極電壓減去閾值電壓，則所述第四NMOS管工作在飽和區(qū)。