[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202010099422.4 | 申請日: | 2020-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN111276415A | 公開(公告)日: | 2020-06-12 |
| 發明(設計)人: | 董中飛;袁洪光;黃建雄;劉國棟;董一民;郭曉亮 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67;H01L21/84;H01L27/12;H01L27/32;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板的制備方法,其特征在于,包括:
在基底上形成隔離柱;
在形成所述隔離柱的過程中,通過檢測所述隔離柱的線性電阻值,以確定所述隔離柱的側蝕深度。
2.根據權利要求1所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,包括:
通過同一制備過程,在所述基底之上形成所述隔離柱以及模擬柱;
在形成所述隔離柱和所述模擬柱的過程中,通過檢測所述模擬柱的線性電阻值,以確定所述隔離柱的線性電阻值,進而確定所述隔離柱的側蝕深度。
3.根據權利要求2所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述模擬柱與所述隔離柱的形狀和尺寸相同。
4.根據權利要求2所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述通過同一制備過程,在所述基底之上形成所述隔離柱以及模擬柱,包括:
在所述基底之上形成隔離膜層,
采用同一刻蝕工藝將所述隔離膜層形成所述隔離柱以及所述模擬柱。
5.根據權利要求2所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,在所述模擬柱上形成至少兩個檢測焊盤;通過檢測所述檢測焊盤之間的線性電阻值,以檢測所述模擬柱的線性電阻值。
6.根據權利要求1所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述在形成所述隔離柱的過程中,通過檢測所述隔離柱的線性電阻值,以確定所述隔離柱的側蝕深度,包括:
在所述基底之上形成檢測鍵組;
通過所述檢測鍵組檢測所述隔離柱的線性電阻值,以確定所述隔離柱的側蝕深度。
7.根據權利要求6所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,在所述基底之上形成檢測鍵組,包括:
在所述基底之上形成源漏極層;
在所述源漏極層之上形成多個檢測焊盤,每個檢測焊盤通過相互電性隔離的引線與所述源漏極層連接,以形成所述檢測鍵組。
8.根據權利要求6所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述基底之上形成有電子參數測量區域,所述檢測鍵組位于所述電子參數測量區域中。
9.一種顯示基板,其特征在于,由權利要求1~8任一所述的顯示基板的制備方法制備而成。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求9所述的顯示基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





