[發明專利]一種光刻膠供給裝置有效
| 申請號: | 202010098934.9 | 申請日: | 2020-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN113341654B | 公開(公告)日: | 2023-02-28 |
| 發明(設計)人: | 董必志 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/16 | 分類號: | G03F7/16 |
| 代理公司: | 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成麗杰 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光刻 供給 裝置 | ||
本發明實施例公開了一種光刻膠供給裝置。該光刻膠供給裝置包括:清洗結構和存儲結構;清洗結構包括第一光刻膠入口和第一光刻膠出口;存儲結構包括第二光刻膠入口和第二光刻膠出口;第一光刻膠出口與第二光刻膠入口連接;清洗結構中設置有超聲波發生器;超聲波發生器用于產生超聲波,將清洗結構中的光刻膠溶液中氣泡從光刻膠溶液中脫離,以及將光刻膠溶液中的雜質顆粒聚集;存儲結構用于存儲經過超聲波處理后的光刻膠溶液。本發明實施例提供的光刻膠供給裝置,以實現減少輸出的光刻膠中的氣泡以及雜質顆粒的效果。
技術領域
本發明實施例涉及半導體技術領域,尤其涉及一種光刻膠供給裝置。
背景技術
半導體制造工藝中,光刻工藝是集成電路制造過程中的關鍵步驟之一,其穩定性及可靠性對產品的質量有著重要的影響。
光刻工藝首先是利用光刻膠供給裝置在晶圓上涂布光刻膠形成一層光刻膠膜層,再將平行光經過掩膜板照射在光刻膠膜層上使其曝光,最后利用顯影液進行顯影完成圖形轉移。然而,現有的光刻膠供給裝置輸出的光刻膠中常摻雜有氣泡以及雜質顆粒物。當輸出的光刻膠中含有氣泡和雜質顆粒時,會使涂布在晶圓上的光刻膠不均勻,造成成品率下降的問題。
發明內容
本發明實施例提供一種光刻膠供給裝置,以實現減少輸出的光刻膠中的氣泡以及雜質顆粒的效果。
本發明實施例提供了一種光刻膠供給裝置,所述光刻膠供給裝置包括:清洗結構和存儲結構;
所述清洗結構包括第一光刻膠入口和第一光刻膠出口;所述存儲結構包括第二光刻膠入口和第二光刻膠出口;所述第一光刻膠出口與所述第二光刻膠入口連接;所述清洗結構中設置有超聲波發生器;
所述超聲波發生器用于產生超聲波,將所述清洗結構中的光刻膠溶液中氣泡從所述光刻膠溶液中脫離,以及將所述光刻膠溶液中的雜質顆粒聚集;
所述存儲結構用于存儲經過超聲波處理后的光刻膠溶液。
進一步地,所述第一光刻膠出口位于所述清洗結構的頂端;
所述第二光刻膠出口位于所述存儲結構的頂端。
進一步地,所述清洗結構內還設置有阻隔單元;所述阻隔單元包括至少一個鏤空結構;
所述阻隔單元將所述清洗結構的容納腔分為第一區和第二區;
所述第一區和所述第二區的排列方向垂直于所述清洗結構的底部。
進一步地,所述鏤空結構的面積為S1,所述阻隔單元的面積為S2,其中,S1=(1/4)S2。
進一步地,所述阻隔單元呈漏斗狀;
所述阻隔單元的中心區域朝向所述清洗結構的底部凸起。
進一步地,所述存儲結構內還設置有位置傳感器;所述第一光刻膠出口與所述第二光刻膠入口之間設置有第一排液泵;
所述光刻膠供給裝置還包括控制器;所述位置傳感器以及所述第一排液泵均與所述控制器電連接;
所述位置傳感器位于所述存儲結構的側壁上,且所述位置傳感器與所述存儲結構的底部之間的距離為預設高度值;
所述位置傳感器用于感測所在位置處是否有光刻膠溶液;當所述位置傳感器未感測到光刻膠溶液時,所述控制器控制所述第一排液泵將所述清洗結構中的光刻膠溶液輸出至所述存儲結構內。
進一步地,所述光刻膠供給裝置還包括輸出管道;所述輸出管道通過所述第二光刻膠出口伸入至所述存儲結構內;
伸入至所述存儲結構內的所述輸出管道的端口與所述存儲結構的底部之間的距離小于等于所述位置傳感器與所述存儲結構的底部之間的距離。
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