[發明專利]一種干法刻蝕設備的上部電極及干法刻蝕設備

在審

• 申請號: 202010098825.7
• 申請日: 2020-02-18
• 公開（公告）號: CN111243933A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 王金寶;冷問竹;陳飛;李巖
• 申請（專利權）人: 信利（仁壽）高端顯示科技有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 許青華

本發明公開了一種干法刻蝕設備的上部電極及干法刻蝕設備，包括上部電極主體和用于套合所述上部電極主體的輔助裝置；所述上部電極主體包括母材，所述母材上設有多個第一通氣孔；所述輔助裝置包括基板，所述基板上設有第二通氣孔；所述基板覆蓋所述母材表面，所述第二通氣孔向外延伸至所述第一通氣孔內，所述基板表面及所述第二通氣孔表面具有絕緣膜。本發明中通過在上部電極主體上套合輔助裝置，在干法刻蝕過程中消耗輔助裝置上的絕緣膜，而對上部電極主體的母材沒有損耗，可以使上部電極主體上的通氣孔的孔徑保持長久的穩定形態，保證干法刻蝕工藝穩定，確保了上部電極主體的反復使用性，延長了上部電極的使用壽命。

技術領域

本發明涉及了干刻蝕裝備技術領域，特別是涉及了一種干法刻蝕設備的上部電極及干法刻蝕設備。

背景技術

在顯示技術領域，通常通過干法刻蝕工藝對玻璃基板進行刻蝕，以制作相應的圖形。干法刻蝕是一種利用等離子體進行薄膜刻蝕的技術。現有技術中干法刻蝕設備包括：反應腔、位于反應腔內的上部電極和下部電極，所述下部電極用于載置待刻蝕的玻璃基板；在具體實施時，將待刻蝕的玻璃基置于下部電極上，反應腔內通入等離子氣體，將反應腔密閉，為上部電極和下部電極施加電壓，二者之間形成電勢差，從而促使等離子體向玻璃基板運動，對玻璃基板進行刻蝕。

上部電極是干法刻蝕設備的主要部件。現有技術中上部電極主要為鋁基板加工很多通氣孔，在鋁基板表面和通氣孔內進行陽極氧化形成氧化鋁絕緣膜，達到絕緣陰極耐蝕效果。

但本申請的發明人在實現本申請實施例的過程中，發現上述技術至少存在如下技術問題：上部電極上的通氣孔的孔徑一般在0.6-1.2mm，現在技術是消耗母材鋁基板進行表面陽極處理，形成氧化鋁絕緣膜。在干法刻蝕工藝過程中，該層氧化鋁絕緣膜會被消耗，無法起到絕緣功能，導致母材鋁裸露，干法刻蝕設備出現異常放電，產品會產生不良。產生這種現象后需要將氧化鋁絕緣膜從母材鋁上剝離，再次消耗母材鋁進行陽極氧化形成新的氧化鋁絕緣膜。這樣反復進行，母材上通氣孔孔徑會變大，每次孔徑的變化量在0.05-0.1mm，隨著重復剝離和陽極氧化，母材消耗越多，孔徑越大，通過通氣孔進入反應腔的工藝氣體的分布和速率發生變化，導致干法刻蝕工藝不穩定，會直接影響產品性能，當通氣孔孔徑大于1.2mm以上，干法刻蝕工藝就不再適用了，這個上部電極就報廢，需要換新的上部電極。因此，現有技術中上部電極的通氣孔的孔徑變化導致干法刻蝕工藝異常時有發生，干法刻蝕工藝不穩定，產品性能不穩定，同時上部電極的使用次數有限，報廢價值低，使用壽命短。

發明內容

為了彌補已有技術的缺陷，本發明提供一種干法刻蝕設備的上部電極及干法刻蝕設備，解決了現有技術中上部電極的通氣孔孔徑變化導致干法刻蝕工藝不穩定的技術問題，可以保持上部電極通氣孔孔徑保持穩定，保證干法刻蝕工藝穩定，產品性能穩定，提高運行周期。

本發明所要解決的技術問題通過以下技術方案予以實現：

本發明的第一方面，提供了一種干法刻蝕設備的上部電極，包括上部電極主體和用于套合所述上部電極主體的輔助裝置；所述上部電極主體包括母材，所述母材上設有多個第一通氣孔；所述輔助裝置包括基板，所述基板上設有與所述第一通氣孔對應的第二通氣孔；所述基板覆蓋所述母材表面，所述第二通氣孔向外延伸至所述第一通氣孔內，所述基板表面及所述第二通氣孔表面具有絕緣膜。

進一步地，所述輔助裝置與所述上部電極主體可分離式設置。

進一步地，所述基板與所述母材具有相同的形狀。

進一步地，所述輔助裝置由絕緣材料制成。

進一步地，所述輔助裝置由金屬材料制成，所述絕緣膜通過陽極氧化工藝形成。

進一步地，所述母材為鋁基板，所述母材為長方形，所述第一通氣孔在所述母材上呈陣列分布。

進一步地，所述母材表面和第一通氣孔內均設有氧化鋁絕緣膜。