[發(fā)明專利]蝕刻方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010098798.3
• 申請日: 2020-02-18
• 公開（公告）號: CN111584360A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田中康基;戶村幕樹
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發(fā)明提供一種蝕刻方法。該蝕刻方法包括：將包含氧化硅膜的基片置于載置臺上的步驟；將上述基片的表面溫度控制為﹣70℃以下的溫度的步驟；在上述進(jìn)行控制的步驟后，供給等離子體生成用的高頻電功率從含氟和氫的氣體生成等離子體來蝕刻上述氧化硅膜的步驟；和使上述基片的表面溫度上升，使通過上述蝕刻生成的副生成物揮發(fā)的步驟。本發(fā)明能夠提高蝕刻速率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種蝕刻方法。

背景技術(shù)

一直以來，提出有對被處理體一邊進(jìn)行冷卻一邊進(jìn)行蝕刻來實現(xiàn) 高蝕刻速率的蝕刻處理方法。例如，專利文獻(xiàn)1提出有將被處理體的 溫度控制在﹣50℃以下來實現(xiàn)高蝕刻速率的技術(shù)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開平7-147273號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明提供一種提高蝕刻速率的技術(shù)。

用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

依照本發(fā)明的一個方式，提供一種蝕刻方法，其包括：將包含氧 化硅膜的基片置于載置臺上的步驟；將上述基片的表面溫度控制為﹣ 70℃以下的溫度的步驟；在上述進(jìn)行控制的步驟后，供給等離子體生 成用的高頻電功率從含氟和氫的氣體生成等離子體來蝕刻上述氧化硅 膜的步驟；和使上述基片的表面溫度上升，使通過上述蝕刻生成的副 生成物揮發(fā)的步驟。

發(fā)明效果

依照一個方面，能夠提高蝕刻速率。

附圖說明

圖1是表示一實施方式的蝕刻方法的圖。

圖2是表示氧化硅膜的蝕刻速率的基片溫度相關(guān)性的圖。

圖3是表示氣相中的HF蝕刻劑的量的圖。

圖4是表示氧化硅膜蝕刻中的基片溫度上升的偏置功率相關(guān)性的 圖。

圖5是表示一實施方式的等離子體處理裝置的一例的圖。

附圖標(biāo)記說明

1 腔室

2 等離子體

3 上部電極

4 下部電極

5 靜電吸盤

6、7 RF源

8 氣體源

9 排氣裝置

10 等離子體處理裝置

80 控制部

100 掩模

110 氧化硅膜

120 氮化硅膜

W 基片

ST 載置臺。

具體實施方式