[發(fā)明專利]蝕刻方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010098798.3 | 申請日： | 2020-02-18 |
| 公開（公告）號： | CN111584360A | 公開（公告）日： | 2020-08-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 田中康基;戶村幕樹 | 申請（專利權(quán)）人： | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳;劉芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 蝕刻 方法 | ||
1.一種蝕刻方法，其特征在于，包括：
將包含氧化硅膜的基片置于載置臺上的步驟；
將所述基片的表面溫度控制為﹣70℃以下的溫度的步驟；
在所述進(jìn)行控制的步驟后，供給等離子體生成用的高頻電功率從含氟和氫的氣體生成等離子體來蝕刻所述氧化硅膜的步驟；和
使所述基片的表面溫度上升，使通過所述蝕刻生成的副生成物揮發(fā)的步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于：
還包括在使所述副生成物揮發(fā)的步驟中，通過所述基片的背面與所述載置臺之間的空間的壓力、和供給到所述載置臺的偏置高頻電功率，來控制所述基片的表面溫度的步驟。
3.如權(quán)利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：
所述基片還包括所述氧化硅膜以外的含硅膜。
4.如權(quán)利要求3所述的蝕刻方法，其特征在于：
所述基片包括所述氧化硅膜和多晶膜的層疊膜、或者所述氧化硅膜和氮化硅膜的層疊膜。
5.如權(quán)利要求3或4所述的蝕刻方法，其特征在于：
在所述含硅膜上形成有含金屬掩模。
6.如權(quán)利要求5所述的蝕刻方法，其特征在于：
所述含金屬掩模由含有鎢、鈦、鉬、釕、鉿或鋁的材料形成。
7.如權(quán)利要求1～6中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：
形成在所述基片的凹部的高寬比為5以上。
8.如權(quán)利要求1～7中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：
在所述進(jìn)行蝕刻的步驟中，使供給到所述載置臺的偏置高頻電功率的占空比變化。
9.如權(quán)利要求1～8中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：
在所述進(jìn)行蝕刻的步驟中，使所述等離子體生成用的高頻電功率的占空比變化。
10.如權(quán)利要求1～9中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：
在所述進(jìn)行蝕刻的步驟中，將脈沖狀的直流電壓施加到載置臺。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
