[發明專利]半導體工藝反應腔室

有效

• 申請號: 202010097883.8
• 申請日: 2020-02-17
• 公開（公告）號: CN111276384B
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 王偉
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 董琳;高翠花

本發明提供一種半導體工藝反應腔室，其包括：出氣端，所述出氣端設有一出氣口；至少一氣體吹掃管路，與所述出氣口的側壁連通，用于將具有一設定壓強的氣體自所述出氣口的側壁輸入至所述出氣口內，所述氣體在所述出氣口側壁表面形成氣層。本發明的優點在于，在所述出氣口的側壁上形成氣層，所述氣層能夠防止所述反應副產物在所述出氣口的側壁堆積，從而避免堆積物對反應腔室內進行的半導體工藝產生影響。

技術領域

本發明涉及集成電路制造領域，尤其涉及一種半導體工藝反應腔室。

背景技術

在集成電路制造工藝中，半導體制造裝置在晶片上選擇性且反復地執行擴散、蒸鍍、顯影、蝕刻、離子注入等工藝來進行加工處理。其中，在規定的氛圍下向半導體工藝反應腔室內投入工藝氣體，從而在工藝腔室內的晶片上發生反應，殘余氣體或者反應產生的氣體經半導體工藝反應腔室的排氣口排出。

通常，可通過清潔系統實現對反應腔室內部反應副產物的清除，以保證工藝穩定性，但是，在所述半導體工藝反應腔室的出氣口通常會有反應副產物的堆積，其會影響工藝穩定性。

因此，如何避免反應副產物在所述半導體工藝反應腔室的出氣口處堆積，成為目前亟需解決的問題。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是，提供一種半導體工藝反應腔室，其能夠避免反應副產物在所述半導體工藝反應腔室的出氣口處堆積。

為了解決上述問題，本發明提供了一種半導體工藝反應腔室，其包括：出氣端，所述出氣端設有一出氣口；至少一氣體吹掃管路，與所述出氣口的側壁連通，用于將具有一設定壓強的氣體自所述出氣口的側壁輸入至所述出氣口內，所述氣體在所述出氣口側壁表面形成氣層。

進一步，所述出氣端包括一本體，一通孔貫穿所述本體而形成所述出氣口。

進一步，所述氣體吹掃管路穿過所述本體并延伸至所述出氣口的側壁。

進一步，所述半導體工藝反應腔室包括兩個氣體吹掃管路，兩個所述氣體吹掃管路以所述出氣口的軸線為對稱軸對稱設置。

進一步，在所述出氣口的側壁設置有襯墊，所述襯墊與所述出氣口的側壁之間形成一儲氣空間，所述襯墊上具有至少一通孔，所述氣體吹掃管路與所述儲氣空間連通，所述氣體經所述出氣口的側壁進入所述儲氣空間，并經所述通孔進入所述出氣口內，所述氣體在所述襯墊的表面形成所述氣層。

進一步，所述通孔與所述氣體吹掃管路在所述出氣口側壁的出口錯位設置。

進一步，所述襯墊上設置有多個均勻分布的通孔。

進一步，所述襯墊與所述出氣口的側壁之間形成多個儲氣空間，每一所述儲氣空間與至少一所述氣體吹掃管路連通。

進一步，在所述出氣口的側壁設置有多個襯墊，每一所述襯墊與所述出氣口的側壁之間形成一儲氣空間。

進一步，在所述襯墊上還設置有一阻擋墊，所述阻擋墊對應所述氣體吹掃管路的出口設置，以改變所述氣體吹掃管路的出口處的氣體流向。

進一步，所述出氣口的側壁凹陷，用于容納所述襯墊。

進一步，所述襯墊為凹型構型，所述凹型構型具有至少一凹槽，所述凹槽與所述出氣口的側壁之間形成至少一儲氣空間。

本發明的優點在于，在所述出氣口的側壁上形成氣層，所述氣層能夠防止所述反應副產物在所述出氣口的側壁堆積，從而避免堆積物對反應腔室內進行的半導體工藝產生影響。

附圖說明

圖1是現有的半導體工藝反應腔室的出氣端的結構示意圖；

圖2是本發明半導體工藝反應腔室的第一具體實施方式的出口端的結構示意圖；