[發明專利]半導體工藝反應腔室有效
| 申請號： | 202010097883.8 | 申請日： | 2020-02-17 |
| 公開（公告）號： | CN111276384B | 公開（公告）日： | 2021-04-13 |
| 發明（設計）人： | 王偉 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;高翠花 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 工藝 反應 | ||
1.一種半導體工藝反應腔室，其特征在于，包括：
出氣端，所述出氣端設有一出氣口；
在所述出氣口的側壁設置有襯墊，所述襯墊與所述出氣口的側壁之間形成一儲氣空間，所述襯墊上具有至少一通孔；
至少一氣體吹掃管路，與所述儲氣空間連通，具有一設定壓強的氣體經所述出氣口的側壁進入所述儲氣空間，并經所述通孔進入所述出氣口內，所述氣體在所述襯墊的表面形成氣層；
在所述襯墊上還設置有一阻擋墊，所述阻擋墊對應所述氣體吹掃管路的出口設置，以改變所述氣體吹掃管路的出口處的氣體流向。
2.根據權利要求1所述的半導體工藝反應腔室，其特征在于，所述出氣端包括一本體，一通孔貫穿所述本體而形成所述出氣口。
3.根據權利要求2所述的半導體工藝反應腔室，其特征在于，所述氣體吹掃管路穿過所述本體并延伸至所述出氣口的側壁。
4.根據權利要求1所述的半導體工藝反應腔室，其特征在于，所述半導體工藝反應腔室包括兩個氣體吹掃管路，兩個所述氣體吹掃管路以所述出氣口的軸線為對稱軸對稱設置。
5.根據權利要求1所述的半導體工藝反應腔室，其特征在于，所述通孔與所述氣體吹掃管路在所述出氣口側壁的出口錯位設置。
6.根據權利要求1所述的半導體工藝反應腔室，其特征在于，所述襯墊上設置有多個均勻分布的通孔。
7.根據權利要求1所述的半導體工藝反應腔室，其特征在于，所述襯墊與所述出氣口的側壁之間形成多個儲氣空間，每一所述儲氣空間與至少一所述氣體吹掃管路連通。
8.根據權利要求1所述的半導體工藝反應腔室，其特征在于，在所述出氣口的側壁設置有多個襯墊，每一所述襯墊與所述出氣口的側壁之間形成一儲氣空間。
9.根據權利要求1所述的半導體工藝反應腔室，其特征在于，所述出氣口的側壁凹陷，用于容納所述襯墊。
10.根據權利要求1所述的半導體工藝反應腔室，其特征在于，所述襯墊為凹型構型，凹型構型具有至少一凹槽，所述凹槽與所述出氣口的側壁之間形成至少一儲氣空間。
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