[發(fā)明專利]一種膜層致密的等離子化學氣相沉積法鍍疏水膜方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010097456.X
• 申請日: 2020-02-17
• 公開（公告）號: CN111519171B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設計）人: 呂偉桃;梁宸
• 申請（專利權）人: 佛山市思博睿科技有限公司
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513;C23C16/02
• 代理公司: 上海瀚橋?qū)＠硎聞账?普通合伙) 31261
• 代理人: 曹芳玲

本發(fā)明公開了本發(fā)明提供一種膜層致密的等離子化學氣相沉積法鍍疏水膜方法，包括以下步驟：(1)、前處理：將待處理工件放入反應腔，向反應腔內(nèi)通入C3F6和/或C4F8，在真空條件下以電離的C3F6和/或C4F8對工件表面進行處理；(2)、活化；(3)、汽化：將親水材料和疏水材料混合均勻得到混合鍍膜材料，汽化后的混合鍍膜材料進入反應腔；(4)、沉積親水膜：設定反應腔內(nèi)的射頻功率位第一功率，在真空度下沉積親水膜，在沉積過程中對真空度由低到高進行調(diào)整；(5)、沉積疏水膜：在沉積過程中對真空度由低到高進行調(diào)整；(6)、后處理。本發(fā)明的方法具有疏水膜沉積速度快、附著牢固、膜層致密、生產(chǎn)周期短的優(yōu)點。

技術領域

本發(fā)明涉及等離子化學氣相沉積法鍍膜技術領域，尤其涉及一種膜層致密的等離子化學氣相沉積法鍍疏水膜方法。

背景技術

等離子化學增強氣相沉積鍍膜工藝中，尤其是鍍疏水膜工藝中，維持等離子氣體載氣與汽化的疏水材料碰撞反應一段時間，在工件的表面形成一層疏水膜，根據(jù)疏水膜的厚度需求，控制反應時間的長短。這種鍍膜工序能形成一定厚度的單層疏水膜，但是這種單層的疏水膜綜合性能不夠高，存在易脫落和耐用性差的問題。為了解決這個問題目前也有鍍多層膜的記載，但是這些都難以從根本上解決膜層與基材之間結合牢固程度的問題。

現(xiàn)有技術中，為了獲得較高致密度的膜層，在鍍膜過程中需要反應腔內(nèi)有較高的真空度，這就要求在鍍膜前花費較長的時間和能耗來對反應腔抽真空，鍍膜效率低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提出一種膜層致密的等離子化學氣相沉積法鍍疏水膜方法，具有鍍膜效率高的特點。

為達此目的，本發(fā)明采用以下技術方案：

本發(fā)明提供一種膜層致密的等離子化學氣相沉積法鍍疏水膜方法，包括以下步驟：

(1)、前處理：將待處理工件放入反應腔，向反應腔內(nèi)通入C₃F₆和/或C₄F₈，在真空條件下以電離的C₃F₆和/或C₄F₈對工件表面進行處理；

(2)、活化：在反應腔內(nèi)利用等離子氣體對工件表面進行活化處理；

(3)、汽化：將親水材料和疏水材料混合均勻得到混合鍍膜材料，汽化后的混合鍍膜材料進入反應腔；

(4)、沉積親水膜：設定反應腔內(nèi)的射頻功率位第一功率，在真空度下沉積親水膜，在沉積過程中對真空度由低到高進行調(diào)整；

(5)、沉積疏水膜：之后調(diào)整反應腔內(nèi)的射頻功率位第二功率，在真空度下沉積疏水膜，在沉積過程中對真空度由低到高進行調(diào)整；

(6)、后處理。

進一步的，步驟(1)中，在向反應腔通入C₃F₆和/或C₄F₈的同時通入惰性氣體。

進一步的，步驟(1)中，反應腔內(nèi)的射頻功率為300-400W，真空度為0.04-0.08mbar。

進一步的，步驟(2)中，利用O₂進行等離子氣體表面活化。

進一步的，步驟(4)中，第一功率為300-400W；所述反應腔內(nèi)的真空度由0.01mbar提高至0.05mbar。

進一步的，步驟(5)中，第二功率為600-800W；所述反應腔內(nèi)的真空度由0.08mbar提高至0.15mbar。

進一步的，氣體從所述反應腔的氣體進口端進入，自與氣體進口端相對的另一端以抽真空方式抽出；在步驟(4)和(5)中，沉積親水膜和沉積疏水膜過程中，汽化的混合鍍膜材料持續(xù)通入反應腔內(nèi)同時反應腔持續(xù)氣體排出。