[發(fā)明專利]一種膜層致密的等離子化學(xué)氣相沉積法鍍疏水膜方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010097456.X
• 申請(qǐng)日: 2020-02-17
• 公開（公告）號(hào): CN111519171B
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂偉桃;梁宸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佛山市思博睿科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/513
• 分類號(hào): C23C16/513;C23C16/02
• 代理公司: 上海瀚橋?qū)＠硎聞?wù)所(普通合伙) 31261
• 代理人: 曹芳玲

1.一種膜層致密的等離子化學(xué)氣相沉積法鍍疏水膜方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)、前處理：將待處理工件放入反應(yīng)腔，向反應(yīng)腔內(nèi)通入C₃F₆和/或C₄F₈，在真空條件下以電離的C₃F₆和/或C₄F₈對(duì)工件表面進(jìn)行處理；

(2)、活化：在反應(yīng)腔內(nèi)利用等離子氣體對(duì)工件表面進(jìn)行活化處理；

(3)、汽化：將親水材料和疏水材料混合均勻得到混合鍍膜材料，所述親水材料和疏水材料均為硅烷類材料，所述疏水材料包含氟元素，所述親水材料包含親水性基團(tuán)；汽化后的混合鍍膜材料進(jìn)入反應(yīng)腔；

(4)、沉積親水膜：設(shè)定反應(yīng)腔內(nèi)的射頻功率為第一功率300-400W，在真空度下沉積親水膜，在沉積過(guò)程中對(duì)真空度由低到高進(jìn)行調(diào)整；

(5)、沉積疏水膜：之后調(diào)整反應(yīng)腔內(nèi)的射頻功率為第二功率600-800W，在真空度下沉積疏水膜，在沉積過(guò)程中對(duì)真空度由低到高進(jìn)行調(diào)整；

(6)、后處理：將經(jīng)步驟(5)之后的工件密封包裝，放置于恒溫恒濕環(huán)境20-45min以保證樣品隔絕空氣中氧氣和水分以及穩(wěn)固疏水膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層致密的等離子化學(xué)氣相沉積法鍍疏水膜方法，其特征在于，所述步驟(1)中，在向反應(yīng)腔通入C₃F₆和/或C₄F₈的同時(shí)通入惰性氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層致密的等離子化學(xué)氣相沉積法鍍疏水膜方法，其特征在于，所述步驟(1)中，反應(yīng)腔內(nèi)的射頻功率為300-400W，真空度為0.04-0.08mbar。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層致密的等離子化學(xué)氣相沉積法鍍疏水膜方法，其特征在于，所述步驟(2)中，利用O₂進(jìn)行等離子氣體表面活化。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層致密的等離子化學(xué)氣相沉積法鍍疏水膜方法，其特征在于，氣體從所述反應(yīng)腔的氣體進(jìn)口端進(jìn)入，自與氣體進(jìn)口端相對(duì)的另一端以抽真空方式抽出；在步驟(4)和(5)中，沉積親水膜和沉積疏水膜過(guò)程中，汽化的混合鍍膜材料持續(xù)通入反應(yīng)腔內(nèi)同時(shí)反應(yīng)腔持續(xù)氣體排出。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的膜層致密的等離子化學(xué)氣相沉積法鍍疏水膜方法，其特征在于，所述步驟(4)中，沉積親水材料時(shí)，向反應(yīng)腔同步通入輔助氣體氧氣；所述步驟(5)中，沉積疏水材料時(shí)，向反應(yīng)腔同步通入輔助氣體為惰性氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層致密的等離子化學(xué)氣相沉積法鍍疏水膜方法，其特征在于，所述步驟(5)中，沉積疏水材料過(guò)程中，采用脈沖波，疏水膜的厚度增長(zhǎng)速度為10～20nm/min。