[發明專利]一種同心圓單晶硅電池處理方法

有效

• 申請號: 202010097268.7
• 申請日: 2020-02-17
• 公開（公告）號: CN111276572B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 金井升;李文琪;張昕宇
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/04;H01L31/028
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 田媛媛

本申請公開了一種同心圓單晶硅電池處理方法，包括：將成品同心圓單晶硅電池的溫度控制在第一預設溫度范圍內且持續第一預設時間長度，以實現對成品同心圓單晶硅電池的高溫預處理；將成品同心圓單晶硅電池的溫度控制在第二預設溫度范圍內且持續第二預設時間長度，并對成品同心圓單晶硅電池進行光照處理，以實現對成品同心圓單晶硅電池的第一次低溫光照處理。本申請公開的上述技術方案，通過高溫預處理和低溫光照處理實現對成品同心圓單晶硅電池內部所存在的同心圓的鈍化，以在不降低單晶硅電池效率的情況下對單晶硅電池中所產生的的同心圓進行處理，從而降低同心圓對單晶硅電池和光伏組件的影響，并便于實現同心圓處理的產業化應用。

技術領域

本申請涉及太陽能電池技術領域，更具體地說，涉及一種同心圓單晶硅電池處理方法。

背景技術

在太陽能電池中，單晶硅片主要通過直拉法進行制備，其中，氧是直拉單晶硅中的主要雜質，其來源于晶體生長過程中石英坩堝的污染，且其可以與空位結合形成微缺陷，也可以形成氧沉淀，從而導致誘導缺陷。在單晶硅電池的制備過程中，高溫處理工藝會加劇氧雜質的影響，從而導致電池同心圓的產生，而同心圓作為一種缺陷不僅會降低單晶硅電池的轉換效率，而且會導致光伏組件發生降級，從而降低光伏組件的良品率。

目前，一般是通過如下兩種方式來降低同心圓對單晶硅電池和同心圓的影響：一種是改善單晶硅電池的制備工藝，如降低擴散溫度，以降低氧沉淀的生成，另一種是增加單晶硅電池的制備工序，具體為通過TR(TabulaRasa)高溫預處理技術來降低氧沉淀的生成，但是，就第一種方法而言，由于工藝調整的窗口非常有限，因此，很難在不降低單晶硅電池轉換效率的情況下改善同心圓，例如在優化擴散溫度時則會對擴散過程產生影響，從而使得擴散過程達不到原有的效果，而就第二種方法而言，TR高溫預處理技術目前僅停留在實驗室研究階段，且由于TR高溫預處理技術需要1100℃的溫度，因此，對設備的需求非常高，很難實現產業化應用。

綜上所述，如何在盡量不對單晶硅電池效率產生影響的情況下對單晶硅電池中所產生的同心圓進行處理，以降低同心圓對單晶硅電池和光伏組件的影響，并便于實現同心圓處理的產業化應用，是目前本領域技術人員亟待解決的技術問題。

發明內容

有鑒于此，本申請的目的是提供一種同心圓單晶硅電池處理方法，用于在盡量不對單晶硅電池效率產生影響的情況下對單晶硅電池中所產生的的同心圓進行處理，以降低同心圓對單晶硅電池和光伏組件的影響，并便于實現同心圓處理的產業化應用。

為了實現上述目的，本申請提供如下技術方案：

一種同心圓單晶硅電池處理方法，包括：

預先得到成品單晶硅電池，并從所述成品單晶硅電池中篩選出成品同心圓單晶硅電池；

將所述成品同心圓單晶硅電池的溫度控制在第一預設溫度范圍內且持續第一預設時間長度，以實現對所述成品同心圓單晶硅電池的高溫預處理；其中，所述第一預設溫度范圍的最小值大于等于第一閾值，所述第一預設溫度范圍的最大值小于等于第二閾值；

將所述成品同心圓單晶硅電池的溫度控制在第二預設溫度范圍內且持續第二預設時間長度，并對所述成品同心圓單晶硅電池進行光照處理，以實現對所述成品同心圓單晶硅電池的第一次低溫光照處理；其中，所述第二預設溫度范圍的最小值大于等于第三閾值，所述第二預設溫度范圍的最大值小于等于所述第一預設溫度范圍的最小值。

優選的，在實現對所述成品同心圓單晶硅電池的低溫光照處理之后，還包括：

將所述成品同心圓單晶硅電池的溫度控制在第三預設溫度范圍內且持續第三預設時間長度，以實現對所述成品同心圓單晶硅電池的低溫預處理；其中，所述第三預設溫度范圍的最小值大于等于所述第三閾值，所述第三預設溫度范圍的最大值小于等于所述第一預設溫度范圍的最小值；