[發(fā)明專利]一種同心圓單晶硅電池處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010097268.7 | 申請日： | 2020-02-17 |
| 公開（公告）號： | CN111276572B | 公開（公告）日： | 2023-08-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金井升;李文琪;張昕宇 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/04;H01L31/028 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 田媛媛 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 同心圓 單晶硅 電池 處理 方法 | ||
1.一種同心圓單晶硅電池處理方法，其特征在于，包括：
預(yù)先得到成品單晶硅電池，并從所述成品單晶硅電池中篩選出成品同心圓單晶硅電池；
將所述成品同心圓單晶硅電池的溫度控制在第一預(yù)設(shè)溫度范圍內(nèi)且持續(xù)第一預(yù)設(shè)時間長度，以實現(xiàn)對所述成品同心圓單晶硅電池的高溫預(yù)處理；其中，所述第一預(yù)設(shè)溫度范圍的最小值大于等于第一閾值，所述第一預(yù)設(shè)溫度范圍的最大值小于等于第二閾值；
將所述成品同心圓單晶硅電池的溫度控制在第二預(yù)設(shè)溫度范圍內(nèi)且持續(xù)第二預(yù)設(shè)時間長度，并對所述成品同心圓單晶硅電池進行光照處理，以實現(xiàn)對所述成品同心圓單晶硅電池的第一次低溫光照處理；其中，所述第二預(yù)設(shè)溫度范圍的最小值大于等于第三閾值，所述第二預(yù)設(shè)溫度范圍的最大值小于等于所述第一預(yù)設(shè)溫度范圍的最小值；
在實現(xiàn)對所述成品同心圓單晶硅電池的低溫光照處理之后，還包括：
將所述成品同心圓單晶硅電池的溫度控制在第三預(yù)設(shè)溫度范圍內(nèi)且持續(xù)第三預(yù)設(shè)時間長度，以實現(xiàn)對所述成品同心圓單晶硅電池的低溫預(yù)處理；其中，所述第三預(yù)設(shè)溫度范圍的最小值大于等于所述第三閾值，所述第三預(yù)設(shè)溫度范圍的最大值小于等于所述第一預(yù)設(shè)溫度范圍的最小值；
將所述成品同心圓單晶硅電池的溫度控制在第四預(yù)設(shè)溫度范圍內(nèi)且持續(xù)第四預(yù)設(shè)時間長度，并對所述成品同心圓單晶硅電池進行光照處理，以實現(xiàn)對所述成品同心圓單晶硅電池的第二次低溫光照處理；其中，所述第四預(yù)設(shè)溫度范圍的最小值大于等于所述第三閾值，所述第四預(yù)設(shè)溫度范圍的最大值小于等于所述第一預(yù)設(shè)溫度范圍的最小值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同心圓單晶硅電池處理方法，其特征在于，在將所述成品同心圓單晶硅電池的溫度控制在第四預(yù)設(shè)溫度范圍內(nèi)且持續(xù)第四預(yù)設(shè)時間長度，并對所述成品同心圓單晶硅電池進行光照處理，以實現(xiàn)對所述成品同心圓單晶硅電池的第二次低溫光照處理之后，還包括：
重復(fù)執(zhí)行多次所述將所述成品同心圓單晶硅電池的溫度控制在第三預(yù)設(shè)溫度范圍內(nèi)且持續(xù)第三預(yù)設(shè)時間長度，以實現(xiàn)對所述成品同心圓單晶硅電池的低溫預(yù)處理；將所述成品同心圓單晶硅電池的溫度控制在第四預(yù)設(shè)溫度范圍內(nèi)且持續(xù)第四預(yù)設(shè)時間長度，并對所述成品同心圓單晶硅電池進行光照處理，以實現(xiàn)對所述成品同心圓單晶硅電池的第二次低溫光照處理的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的同心圓單晶硅電池處理方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)溫度范圍為450～700℃，所述第一預(yù)設(shè)時間長度為1～90s；
所述第二預(yù)設(shè)溫度范圍為200～450℃，所述第二預(yù)設(shè)時間長度為1～600s。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的同心圓單晶硅電池處理方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)溫度范圍為550～650℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的同心圓單晶硅電池處理方法，其特征在于，所述第三預(yù)設(shè)溫度范圍為200～450℃，所述第三預(yù)設(shè)時間長度為1～90s；
所述第四預(yù)設(shè)溫度范圍200～450℃，所述第四預(yù)設(shè)時間長度為1～600s。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的同心圓單晶硅電池處理方法，其特征在于，所述第三預(yù)設(shè)溫度范圍為300～400℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的同心圓單晶硅電池處理方法，其特征在于，在將所述成品同心圓單晶硅電池的溫度控制在第一預(yù)設(shè)溫度范圍內(nèi)且持續(xù)第一預(yù)設(shè)時間長度時，還包括：
對所述成品同心圓單晶硅電池進行光照處理。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的同心圓單晶硅電池處理方法，其特征在于，對所述成品同心圓單晶硅電池進行光照處理，包括：
對所述成品同心圓單晶硅電池進行光強為500-100000W/m2且光源波長為350-2000nm的光照處理。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
