[發明專利]形成半導體器件的方法及其結構

在審

• 申請號: 202010097253.0
• 申請日: 2020-02-17
• 公開（公告）號: CN111584483A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: A·埃爾哈米·霍拉薩尼;M·格里斯沃爾德
• 申請（專利權）人: 半導體組件工業公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L21/822
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 章蕾

本申請涉及形成半導體器件的方法及其結構。在一個實施方案中，半導體器件包括覆蓋在半導體器件的摻雜區域上面的電阻器。所述電阻器形成為多邊形螺旋形的圖案。所述電阻器的所述圖案的實施方案包括邊和拐角。所述邊的材料具有低電阻率，而所述拐角的材料具有較高的電阻率。

相關申請的交叉引用

本申請案涉及具有共同受讓人、發明人為Paul等人的案卷號為ONS02912US的名稱為“形成半導體器件的方法及其結構(METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE ANDSTRUCTURE THEREFOR)”的申請，該申請與本申請同時提交，并以引用的方式并入本文中。

技術領域

本發明整體涉及電子器件，并且更具體地講，涉及半導體、半導體結構以及形成半導體器件的方法。

背景技術

在過去，半導體工業利用各種方法和結構來形成高電壓電阻器，該高電壓電阻器可以用于形成表示接收到的高電壓的信號。在一些應用中，高電壓可能超過兩百至一千五百(200到1500)伏。在一些實施方案中，形成電阻器來覆蓋在半導體器件的部分上面以輔助形成信號。一些電阻器的示例可以在美國專利號7,306,999B2和7,955,943B2中找到，這兩個專利均通過引用并入本文。

在一些應用中，電阻器必須具有大的電阻值，這通常要求將位于下面的半導體器件形成的非常大。這通常導致成本增加。

在一些情況下，電阻器也可能引起高電場。高電場通常導致器件性能下降。

因此，期望具有不增加半導體器件的尺寸和/或成本和/或減小半導體器件中的電場的電阻器。

發明內容

在一個方面，本申請提供一種具有高電壓電阻器元件的半導體器件，所述半導體器件包括：半導體襯底，所述半導體襯底具有第一導電類型；第二導電類型的第一摻雜區域，所述第一摻雜區域位于所述半導體襯底的第一部分上，其中所述第一摻雜區域形成晶體管的漂移區域；第二導電類型的第二摻雜區域，所述第二摻雜區域位于所述半導體襯底中并與所述第一摻雜區域間隔開，其中所述第二摻雜區域形成所述晶體管的另一區域；絕緣體，所述絕緣體覆蓋在所述第一摻雜區域上面；和電阻器，所述電阻器覆蓋在所述絕緣體上面，所述電阻器形成為具有多圈的矩形螺旋形狀，每圈具有邊和連接所述邊的彎曲拐角，所述彎曲拐角由具有第一電阻率的第一半導體材料形成，而所述邊由具有第二電阻率的第二半導體材料形成，其中所述第一電阻率是所述第二電阻率的至少一百倍。

在另一方面，本申請提供一種形成半導體器件的電阻器的方法，所述方法包括：提供具有第一導電類型的半導體襯底；在所述半導體襯底的第一部分上形成第二導電類型的第一摻雜區域；形成覆蓋在所述第一摻雜區域上面的絕緣體；和形成覆蓋在所述絕緣體和所述第一摻雜區域上面的電阻器，包括形成具有多圈的多邊形螺旋形狀的所述電阻器，其中每圈具有邊和拐角，包括由具有第一電阻率的電阻材料形成所述拐角，并且由具有較低電阻率的第二材料形成所述邊。

在另一方面，本申請提供一種形成半導體器件的電阻器的方法，所述方法包括：提供具有第一導電類型的半導體襯底；在所述半導體襯底的第一部分上形成第二導電類型的第一摻雜區域；形成覆蓋在所述第一摻雜區域上面的絕緣體；和形成覆蓋在所述絕緣體和所述第一摻雜區域上面的材料，包括將所述材料形成為細長元件，所述細長元件形成為具有多圈的螺旋形的圖案，其中每圈具有邊和將所述邊中的兩個邊相互連接的拐角，包括由具有第一電阻率的第一材料形成所述拐角，并且由具有較低電阻率的第二材料形成所述邊。

附圖說明

圖1示意性地示出了包括根據本發明的半導體器件的高電壓電路的實施方案的一部分的示例；

圖2示出了根據本發明的可以是圖1的器件的替代實施方案的半導體器件的實施方案的放大截面部分的示例；