[發明專利]形成半導體器件的方法及其結構

在審

• 申請號: 202010097253.0
• 申請日: 2020-02-17
• 公開（公告）號: CN111584483A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: A·埃爾哈米·霍拉薩尼;M·格里斯沃爾德
• 申請（專利權）人: 半導體組件工業公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L21/822
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 章蕾

1.一種具有高電壓電阻器元件的半導體器件，所述半導體器件包括：

半導體襯底，所述半導體襯底具有第一導電類型；

第二導電類型的第一摻雜區域，所述第一摻雜區域位于所述半導體襯底的第一部分上，其中所述第一摻雜區域形成晶體管的漂移區域；

第二導電類型的第二摻雜區域，所述第二摻雜區域位于所述半導體襯底中并與所述第一摻雜區域間隔開，其中所述第二摻雜區域形成所述晶體管的另一區域；

絕緣體，所述絕緣體覆蓋在所述第一摻雜區域上面；和

電阻器，所述電阻器覆蓋在所述絕緣體上面，所述電阻器形成為具有多圈的矩形螺旋形狀，每圈具有邊和連接所述邊的彎曲拐角，所述彎曲拐角由具有第一電阻率的第一半導體材料形成，而所述邊由具有第二電阻率的第二半導體材料形成，其中所述第一電阻率是所述第二電阻率的至少一百倍。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二電阻率介于大約每平方兩歐姆與每平方二十歐姆之間，并且其中所述第一電阻率介于大約每平方三百歐姆與每平方五千歐姆之間。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述彎曲拐角是圓的弧，并且所述弧的總和大約為三百六十度。

4.一種形成半導體器件的電阻器的方法，所述方法包括：

提供具有第一導電類型的半導體襯底；

在所述半導體襯底的第一部分上形成第二導電類型的第一摻雜區域；

形成覆蓋在所述第一摻雜區域上面的絕緣體；和

形成覆蓋在所述絕緣體和所述第一摻雜區域上面的電阻器，包括形成具有多圈的多邊形螺旋形狀的所述電阻器，其中每圈具有邊和拐角，包括由具有第一電阻率的電阻材料形成所述拐角，并且由具有較低電阻率的第二材料形成所述邊。

5.根據權利要求4所述的方法，所述方法包括形成彼此間隔開第一距離的相鄰圈的所述邊。

6.根據權利要求5所述的方法，所述方法包括將所述第一距離形成為對于每圈為基本上恒定的。

7.根據權利要求4所述的方法，所述方法包括由基本上是導體的所述第二材料形成所述邊。

8.根據權利要求4所述的方法，所述方法還包括由多晶硅形成所述電阻材料。

9.一種形成半導體器件的電阻器的方法，所述方法包括：

提供具有第一導電類型的半導體襯底；

在所述半導體襯底的第一部分上形成第二導電類型的第一摻雜區域；

形成覆蓋在所述第一摻雜區域上面的絕緣體；和

形成覆蓋在所述絕緣體和所述第一摻雜區域上面的材料，包括將所述材料形成為細長元件，所述細長元件形成為具有多圈的螺旋形的圖案，其中每圈具有邊和將所述邊中的兩個邊相互連接的拐角，包括由具有第一電阻率的第一材料形成所述拐角，并且由具有較低電阻率的第二材料形成所述邊。

10.根據權利要求9所述的方法，所述方法包括形成具有大于大約每平方一百歐姆的電阻率的所述第一材料。