[發明專利]像素結構、顯示面板及其修復方法在審
| 申請號: | 202010097084.0 | 申請日: | 2020-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN111180499A | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發明(設計)人: | 廖文駿;張陶然;莫再隆 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/66 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 結構 顯示 面板 及其 修復 方法 | ||
本發明涉及一種像素結構、顯示面板及其修復方法。所述像素結構,包括發光器件與像素電路;發光器件包括至少三個陽極、有機發光層以及陰極;至少三個陽極連接至同一像素電路,有機發光層位于至少三個陽極上,陰極位于有機發光層上。根據本發明的實施例,可以將暗點局限在一個更小的區域,減小減弱暗點或亮點對顯示效果的影響。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種像素結構、顯示面板及其修復方法。
背景技術
有源矩陣有機發光二極管(AMOLED)由于其自發光特性,具有色域廣、高對比度、低功耗、輕薄可折疊等優勢,被認為是未來最具前景的顯示技術。然而,由于AMOLED工藝路線復雜,技術要求極高,以現有的制程能力難免會產生諸多不良,直接造成良率提升困難,生產成本提高。因此,不良改善是AMOLED量產中亟待解決的問題。
在AMOLED的制程中,暗點與亮點是最為常見的顯示面板不良,一直以來制約AMOLED良率。對于FHD(Full High Definition,全高清)以及對分辨率要求比較高的顯示裝置,或對畫質要求極為嚴苛的顯示裝置,單個子像素的暗點已經無法被接受,將直接導致產品不合格,對良率影響極大。同樣的,對于這類顯示裝置,單個像素的亮點也無法通過修復手段修復成暗點完成良率轉化,對產品良率更是雪上加霜。因此,如何減弱暗點或亮點對顯示效果的影響是需要解決的一個技術問題。
發明內容
本發明提供一種像素結構、顯示面板及其修復方法,以解決相關技術中的不足。
根據本發明實施例的第一方面,提供一種像素結構,包括發光器件與像素電路;所述發光器件包括至少三個陽極、有機發光層以及陰極;所述至少三個陽極連接至同一所述像素電路,所述有機發光層位于所述至少三個陽極上,所述陰極位于所述有機發光層上。
在一個實施例中,相鄰的兩個所述陽極之間存在縫隙。
在一個實施例中,所述的像素結構還包括平坦化層及第一導線,所述像素電路包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括源極與漏極,所述源極、所述漏極與所述第一導線同層,所述平坦化層位于所述源極與所述陽極之間;所述平坦化層上包括至少三個過孔,所述至少三個過孔與所述至少三個陽極一一對應地連接,所述至少三個過孔經所述第一導線連接至所述源極或所述漏極。
在一個實施例中,所述的像素結構還包括至少三個第一連接部以及至少兩個第二連接部,所述至少三個第一連接部與所述陽極同層,所述至少兩個第二連接部與所述第一導線同層;所述至少三個第一連接部與所述至少三個陽極一一對應地連接,所述至少三個第一連接部與所述至少三個過孔一一對應地連接;當所述至少三個過孔經所述第一導線連接至所述漏極時,所述至少兩個第二連接部、所述漏極與所述至少三個過孔一一對應地連接,所述至少兩個第二連接部經所述第一導線連接至所述漏極。當所述至少三個過孔經所述第一導線連接至所述源極時,所述至少兩個第二連接部、所述源極與所述至少三個過孔一一對應地連接,所述至少兩個第二連接部經所述第一導線連接至所述源極。
在一個實施例中,當所述至少三個過孔經所述第一導線連接至所述漏極時,所述漏極與所述至少三個陽極之間的間距不相同,或者,所述漏極與所述至少三個陽極之間的間距中至少兩個間距相同。
在一個實施例中,當所述至少三個過孔經所述第一導線連接至所述源極時,所述源極與所述至少三個陽極之間的間距不相同,或者,所述源極與所述至少三個陽極之間的間距中至少兩個間距相同。
在一個實施例中,所述的像素結構還包括平坦化層與第二導線,所述像素電路包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括源極與漏極,所述源極與所述漏極同層,所述平坦化層位于所述源極與所述陽極之間;所述第二導線與所述陽極同層;所述至少三個陽極與所述第二導線相連;所述平坦化層包括一個過孔,所述過孔與所述第二導線相連,所述過孔連接至所述源極或所述漏極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





