[發明專利]像素結構、顯示面板及其修復方法在審
| 申請號: | 202010097084.0 | 申請日: | 2020-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN111180499A | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發明(設計)人: | 廖文駿;張陶然;莫再隆 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415 | 代理人: | 武娜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 結構 顯示 面板 及其 修復 方法 | ||
1.一種像素結構,其特征在于,包括發光器件與像素電路;所述發光器件包括至少三個陽極、有機發光層以及陰極;所述至少三個陽極連接至同一所述像素電路,所述有機發光層位于所述至少三個陽極上,所述陰極位于所述有機發光層上。
2.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于,相鄰的兩個所述陽極之間存在縫隙。
3.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于,還包括平坦化層及第一導線,所述像素電路包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括源極與漏極,所述源極、所述漏極與所述第一導線同層,所述平坦化層位于所述源極與所述陽極之間;
所述平坦化層上包括至少三個過孔,所述至少三個過孔與所述至少三個陽極一一對應地連接,所述至少三個過孔經所述第一導線連接至所述源極或所述漏極。
4.根據權利要求3所述的像素結構,其特征在于,還包括至少三個第一連接部以及至少兩個第二連接部,所述至少三個第一連接部與所述陽極同層,所述至少兩個第二連接部與所述第一導線同層;
所述至少三個第一連接部與所述至少三個陽極一一對應地連接,所述至少三個第一連接部與所述至少三個過孔一一對應地連接;
當所述至少三個過孔經所述第一導線連接至所述漏極時,所述至少兩個第二連接部、所述漏極與所述至少三個過孔一一對應地連接,所述至少兩個第二連接部經所述第一導線連接至所述漏極;
當所述至少三個過孔經所述第一導線連接至所述源極時,所述至少兩個第二連接部、所述源極與所述至少三個過孔一一對應地連接,所述至少兩個第二連接部經所述第一導線連接至所述源極。
5.根據權利要求3所述的像素結構,其特征在于,當所述至少三個過孔經所述第一導線連接至所述漏極時,所述漏極與所述至少三個陽極之間的間距不相同,或者,所述漏極與所述至少三個陽極之間的間距中至少兩個間距相同;
當所述至少三個過孔經所述第一導線連接至所述源極時,所述源極與所述至少三個陽極之間的間距不相同,或者,所述源極與所述至少三個陽極之間的間距中至少兩個間距相同。
6.根據權利要求1所述的像素結構,其特征在于,還包括平坦化層與第二導線,所述像素電路包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括源極與漏極,所述源極與所述漏極同層,所述平坦化層位于所述源極與所述陽極之間;所述第二導線與所述陽極同層;所述至少三個陽極與所述第二導線相連;
所述平坦化層包括一個過孔,所述過孔與所述第二導線相連,所述過孔連接至所述源極或所述漏極。
7.根據權利要求6所述的像素結構,其特征在于,還包括第三連接部,所述第三連接部與所述陽極同層,所述至少三個陽極經所述第二導線與所述第三連接部連接,所述第三連接部經所述過孔連接至所述源極或所述漏極。
8.根據權利要求7所述的像素結構,其特征在于,當所述過孔連接至所述漏極時,所述漏極與所述至少三個陽極之間的間距不相同,或者,所述漏極與所述至少三個陽極之間的間距中至少兩個間距相同;
當所述過孔連接至所述源極時,所述源極與所述至少三個陽極之間的間距不相同,或者,所述源極與所述至少三個陽極之間的間距中至少兩個間距相同。
9.一種像素結構,其特征在于,包括發光器件、像素電路、平坦化層以及第一導線;
所述發光器件包括至少兩個陽極、有機發光層與陰極;所述至少兩個陽極連接至同一所述像素電路,所述有機發光層位于所述至少兩個陽極上,所述陰極位于所述有機發光層上;
所述像素電路包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括源極與漏極,所述源極、所述漏極與所述第一導線同層,所述平坦化層位于所述源極與所述陽極之間;
所述平坦化層包括至少兩個過孔,所述至少兩個過孔與所述至少兩個陽極一一對應地連接,所述至少兩個過孔經所述第一導線連接至所述源極或所述漏極。
10.一種顯示面板,其特征在于,包括陣列排布的子像素,每個所述子像素包括權利要求1至9任一項所述的像素結構。
11.一種如權利要求10所述的顯示面板的修復方法,其特征在于,包括:
在蒸鍍所述有機發光層之前,檢測存在異物的所述陽極的第一位置;
在點亮所述顯示面板時,檢測發光亮度滿足發光異常條件的發光器件的第二位置;
當所述第一位置與所述第二位置至少部分重合時,損傷位于所述第一位置的有機發光層或陰極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





