[發明專利]基片處理裝置及基片處理方法

在審

• 申請號: 202010095517.9
• 申請日: 2020-02-17
• 公開（公告）號: CN111613549A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 櫻井宏紀
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/311
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

能夠保持基片的基片保持部；

向由所述基片保持部保持的所述基片供給處理液的處理液供給部；

藥液供給部，其向所述處理液供給部供給作為所述處理液的構成成分的藥液；

純凈水供給部，其向所述處理液供給部供給作為所述處理液的構成成分的純凈水；

低介電常數溶劑供給部，其向所述處理液供給部供給作為所述處理液的構成成分的低介電常數溶劑；和

控制部，其控制所述藥液供給部、所述純凈水供給部、所述低介電常數溶劑供給部，來調節所述處理液中所包含的所述藥液、所述純凈水和所述低介電常數溶劑的比率。

2.根據權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于，

所述處理液供給部具有：

混合部，其將所述藥液、所述純凈水和所述低介電常數溶劑混合而生成所述處理液；和

噴嘴，其向由所述基片保持部保持的所述基片排出由所述混合部生成的所述處理液。

3.根據權利要求2所述的基片處理裝置，其特征在于，

所述混合部包含：

第一混合部，其將從所述藥液供給部供給的所述藥液與從所述純凈水供給部供給的所述純凈水混合而生成純凈水稀釋藥液；和

第二混合部，其將所述第一混合部中生成的所述純凈水稀釋藥液與從所述低介電常數溶劑供給部供給的所述低介電常數溶劑混合而生成所述處理液，

所述噴嘴排出所述第二混合部中生成的所述處理液。

4.根據權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于，

所述處理液供給部具有：

混合部，其將所述藥液與所述純凈水混合而生成純凈水稀釋藥液；

第一噴嘴，其向由所述基片保持部保持的所述基片排出由所述混合部生成的所述純凈水稀釋藥液；和

第二噴嘴，其向由所述基片保持部保持的所述基片排出從所述低介電常數溶劑供給部供給的所述低介電常數溶劑，

所述處理液通過使所述純凈水稀釋藥液與所述低介電常數溶劑在所述基片上混合而生成。

5.一種基片處理方法，其特征在于，包括：

向基片供給由藥液、純凈水和低介電常數溶劑混合而成的處理液，來對形成于所述基片上的膜進行蝕刻的蝕刻步驟；和

在所述蝕刻步驟后，向所述基片供給沖洗液的沖洗步驟。

6.根據權利要求5所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述蝕刻步驟中，將所述藥液、所述純凈水和所述低介電常數溶劑混合之后作為所述處理液，從噴嘴向所述基片排出。

7.根據權利要求5所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述蝕刻步驟中，將由所述藥液和所述純凈水混合而生成的純凈水稀釋藥液和所述低介電常數溶劑經由不同的噴嘴向所述基片排出，使所述純凈水稀釋藥液和所述低介電常數溶劑在所述基片上混合而生成所述處理液。

8.根據權利要求5～7中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

通過調節所述處理液中的低介電常數溶劑的含量，來調節所述膜的蝕刻速率或所述膜相對于其它膜的蝕刻選擇比。