[發(fā)明專利]基片處理裝置及基片處理方法

在審

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• 申請日: 2020-02-17
• 公開（公告）號: CN111613549A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發(fā)明（設計）人: 櫻井宏紀
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/311
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

本發(fā)明提供一種基片處理裝置及基片處理方法，該基片處理裝置包括：能夠保持基片的基片保持部；向由所述基片保持部保持的所述基片供給處理液的處理液供給部；藥液供給部，其向所述處理液供給部供給作為所述處理液的構成成分的藥液；純凈水供給部，其向所述處理液供給部供給作為所述處理液的構成成分的純凈水；低介電常數(shù)溶劑供給部，其向所述處理液供給部供給作為所述處理液的構成成分的低介電常數(shù)溶劑；和控制部，其控制所述藥液供給部、所述純凈水供給部、所述低介電常數(shù)溶劑供給部，來調節(jié)所述處理液中所包含的所述藥液、所述純凈水和所述低介電常數(shù)溶劑的比率。由此，能夠調節(jié)形成于基片上的兩個以上的膜的蝕刻選擇比。

技術領域

本公開涉及基片處理裝置及基片處理方法。

背景技術

半導體器件的制造中，在基片上形成不同種類的多個膜。為了對這些多個膜賦予圖案，而實施有濕法蝕刻。專利文獻1中記載了，為了調節(jié)氮化硅膜(SiN)相對于熱氧化硅膜(SiO₂)的蝕刻選擇性，而控制氫氟酸水溶液(DHF)的濃度和溫度。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2004-179583號公報。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的技術問題

本公開提供一種技術，能夠調節(jié)形成于基片的多個膜的蝕刻選擇比。

用于解決問題的技術方案

基片處理裝置的一個實施方式包括：能夠保持基片的基片保持部；向由所述基片保持部保持的所述基片供給處理液的處理液供給部；藥液供給部，其向所述處理液供給部供給作為所述處理液的構成成分的藥液；純凈水供給部，其向所述處理液供給部供給作為所述處理液的構成成分的純凈水；低介電常數(shù)溶劑供給部，其向所述處理液供給部供給作為所述處理液的構成成分的低介電常數(shù)溶劑；和控制部，其控制所述藥液供給部、所述純凈水供給部、所述低介電常數(shù)溶劑供給部，來調節(jié)所述處理液中所包含的所述藥液、所述純凈水和所述低介電常數(shù)溶劑的比率。

發(fā)明效果

根據(jù)本公開，能夠調節(jié)形成于基片的多個膜的蝕刻選擇比。

附圖說明

圖1是表示一個實施方式的基片處理裝置的縱剖側面圖。

圖2是將向處理單元供給處理液的處理液供給系統(tǒng)的結構的第一例與處理單元的概略結構一起表示的配管系統(tǒng)圖。

圖3是將向處理單元供給處理液的處理液供給系統(tǒng)的結構的第二例與處理單元的概略結構一起表示的配管系統(tǒng)圖。

圖4是將向處理單元供給處理液的處理液供給系統(tǒng)的結構的第三例與處理單元的概略結構一起表示的配管系統(tǒng)圖。

圖5是表示形成于晶片上的膜的一例的剖視圖。

圖6是表示液處理的順序的一例的說明圖。

符號說明

W 基片(晶片)

4 控制部(控制裝置)

16S 基片保持部

30A、30B、30C 處理液供給部(處理液供給系統(tǒng))

41 藥液供給部

42 純凈水供給部

43 低介電常數(shù)溶劑供給部。

具體實施方式

參照附圖說明基片處理裝置的一個實施方式。