[發(fā)明專利]圖形缺陷檢測方法及檢測系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010095385.X
• 申請日: 2020-02-17
• 公開（公告）號: CN111257327A
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙韋韋
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G01N21/88
• 分類號: G01N21/88;G01N21/95
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 焦天雷

本發(fā)明公開了一種用于集成電路版圖的圖形缺陷檢測方法，包括獲取每個產(chǎn)品的每層光罩的設(shè)計(jì)圖形數(shù)據(jù)；在缺陷掃描時，將掃描圖像圖形數(shù)據(jù)與設(shè)計(jì)圖形數(shù)據(jù)實(shí)時對比；若某晶粒出現(xiàn)預(yù)設(shè)圖形缺陷，則以該晶粒為中心按預(yù)設(shè)規(guī)則拍攝與該晶粒相鄰的多個晶粒目標(biāo)圖形圖像；將所述多個晶粒目標(biāo)圖形作為圖形異常點(diǎn)圖像。本發(fā)明公開了一種用于集成電路版圖圖形缺陷檢測圖形缺陷檢測系統(tǒng)。本發(fā)明能快速、準(zhǔn)確、自動檢測集成電路版圖圖形缺陷異常點(diǎn)能提高異常點(diǎn)檢測效率，進(jìn)而提高生產(chǎn)效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路生產(chǎn)中用于監(jiān)控版圖圖形缺陷的圖形缺陷檢測方法。本發(fā)明還還涉及一種集成電路生產(chǎn)中用于監(jiān)控版圖圖形缺陷的圖形缺陷檢測系統(tǒng)。

背景技術(shù)

在大型集成電路晶圓生產(chǎn)過程中，隨著產(chǎn)品的多元化，每個產(chǎn)品都需要有站點(diǎn)去監(jiān)控缺陷狀況，以防止因掃描站點(diǎn)的缺失導(dǎo)致大量晶圓遭受相同缺陷，從而導(dǎo)致產(chǎn)品良率的下降。隨著晶體管幾何尺寸的降低，缺陷造成的良率損失率不斷上升，且對良率有影響的缺陷尺寸越來越小，因此對光學(xué)掃描程式和電子束掃描程式的精度要求也越來越高。

常用的圖形檢測缺陷的流程是，先用光學(xué)掃描機(jī)臺將異常點(diǎn)抽取sampling出來，常用的光學(xué)掃描手段有亮場和暗場掃描，然后再經(jīng)過電子束掃描機(jī)臺觀察抽取sampling出來的缺陷形貌；現(xiàn)有圖形檢測缺陷方案針對微粒particle、圖形缺失或增加這類缺陷電子掃描機(jī)臺比較容易分辨，但針對圖形偏移pattern shift或者圖像縮小shrink缺陷，光學(xué)掃描機(jī)臺雖然很容易抽取sampling出來。可是在電子束掃描時很難區(qū)分出異常點(diǎn)，參考圖1-圖4所示，很容易會被誤認(rèn)為是前層或者干擾信號，只有通過人為進(jìn)行左右對比拍攝或者等良率的圖像map反饋，發(fā)現(xiàn)有跟亮場或者暗場掃描相同圖像map，才能發(fā)現(xiàn)此類缺陷。由于不能第一時間發(fā)現(xiàn)問題，所以無法減少缺陷對于產(chǎn)品的影響。

發(fā)明內(nèi)容

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念,該簡化形式的概念均為本領(lǐng)域現(xiàn)有技術(shù)簡化，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種能快速、準(zhǔn)確、自動檢測集成電路版圖圖形缺陷異常點(diǎn)的圖形缺陷檢測方法。

本發(fā)明要解決的另一技術(shù)問題是提供一種能快速、準(zhǔn)確、自動檢測集成電路版圖圖形缺陷異常點(diǎn)的圖形缺陷檢測方法。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的用于集成電路版圖圖形缺陷檢測的圖形缺陷檢測方法，包括以下步驟：

S1，獲取每個產(chǎn)品的每層光罩的設(shè)計(jì)圖形數(shù)據(jù)；

可選擇的，設(shè)計(jì)圖形數(shù)據(jù)采用集成電路版圖設(shè)計(jì)中最常用的圖形數(shù)據(jù)描述語言文件格式gds文件或tdb文件；

S2，在缺陷掃描時，將掃描圖像圖形數(shù)據(jù)與設(shè)計(jì)圖形數(shù)據(jù)實(shí)時對比；

可選擇的，實(shí)時數(shù)據(jù)對比可通過電子掃描機(jī)臺利用軟件編程(例如，腳本文件)實(shí)現(xiàn)；

S3，若某晶粒出現(xiàn)預(yù)設(shè)圖形缺陷，則以該晶粒為中心按預(yù)設(shè)規(guī)則拍攝與該晶粒相鄰的多個晶粒目標(biāo)圖形圖像；

可選擇的，所述預(yù)設(shè)圖形缺陷包括但不限于是圖形偏移和或圖形縮小。

S4，將所述多個晶粒目標(biāo)圖形作為圖形異常點(diǎn)圖像。

可選擇的，所述預(yù)設(shè)規(guī)則包括；

當(dāng)目標(biāo)晶粒圖形與標(biāo)準(zhǔn)晶粒圖形尺寸相差大于10％時，以目標(biāo)晶粒為中心上下左右每隔10個晶粒抓取目標(biāo)圖形的圖像，連續(xù)抓取五次圖像；

當(dāng)目標(biāo)晶粒圖形與標(biāo)準(zhǔn)晶粒尺寸相差為5-10％時，以目標(biāo)晶粒為中心，上下左右每隔8個晶粒抓取目標(biāo)圖形的圖像，連續(xù)抓取五次圖像；