[發明專利]圖形缺陷檢測方法及檢測系統在審
| 申請號： | 202010095385.X | 申請日： | 2020-02-17 |
| 公開（公告）號： | CN111257327A | 公開（公告）日： | 2020-06-09 |
| 發明（設計）人： | 趙韋韋 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | G01N21/88 | 分類號： | G01N21/88;G01N21/95 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖形 缺陷 檢測 方法 系統 | ||
1.一種圖形缺陷檢測方法，其用于集成電路版圖圖形缺陷檢測，其特征在于，包括以下步驟：
S1，獲取每個產品的每層光罩的設計圖形數據；
S2，在缺陷掃描時，將掃描圖像圖形數據與設計圖形數據實時對比；
S3，若某晶粒出現預設圖形缺陷，則以該晶粒為中心按預設規則拍攝與該晶粒相鄰的多個晶粒目標圖形圖像；
S4，將所述多個晶粒目標圖形作為圖形異常點圖像。
2.如權利要求1所述的圖形缺陷檢測方法，其特征在于：所述設計圖形數據是gds文件或tdb文件。
3.如權利要求1所述的圖形缺陷檢測方法，其特征在于：所述預設圖形缺陷是圖形偏移和或圖形縮小。
4.如權利要求1所述的圖形缺陷檢測方法，其特征在于：所述預設規則包括
當目標晶粒圖形與標準晶粒圖形尺寸相差大于10％時，以目標晶粒為中心上下左右每隔10個晶粒抓取目標圖形的圖像，連續抓取五次圖像；
當目標晶粒圖形與標準晶粒尺寸相差為5-10％時，以目標晶粒為中心，上下左右每隔8個晶粒抓取目標圖形的圖像，連續抓取五次圖像；
當目標晶粒圖形與標準晶粒尺寸相差2-5％時，以目標晶粒為中心，上下左右每隔5個晶粒抓取目標圖形的圖像，連續抓取五次圖像；
當目標晶粒圖形與標準晶粒尺寸相差1-2％時，以目標晶粒為中心，上下左右每隔3個晶粒抓取目標圖形的圖像，連續抓取十次圖像；
當目標晶粒圖形與標準晶粒尺寸相差小于1％時，以目標晶粒為中心，上下左右每隔1個晶粒抓取目標圖形的圖像，連續抓取十次圖像。
5.如權利要求4所述的圖形缺陷檢測方法，其特征在于：所述標準晶粒為圖形坐標為[0,0]的晶粒。
6.一種圖形缺陷檢測系統，其用于電子束掃描機臺端集成電路版圖圖形缺陷檢測，其特征在于，包括：
導入模塊，其適用于獲取每個產品的每層光罩的設計圖形數據導入電子束掃描機臺端；
對比模塊，其適用于將掃描圖像圖形數據與設計圖形數據實時對比；
拍攝模塊，其適用于以出現預設圖形缺陷晶粒為中心，按預設規則拍攝與該晶粒相鄰的多個晶粒目標圖形圖像，將所述多個晶粒目標圖形作為圖形異常點圖像。
7.如權利要求6所述的圖形缺陷檢測系統，其特征在于：導入模塊導入的設計圖形數據是gds文件或tdb文件。
8.如權利要求6所述的圖形缺陷檢測系統，其特征在于：所述預設圖形缺陷是圖形偏移和或圖形縮小。
9.如權利要求6所述的圖形缺陷檢測系統，其特征在于，所述預設規則包括：
當目標晶粒圖形與標準晶粒圖形尺寸相差大于10％時，以目標晶粒為中心上下左右每隔10個晶粒抓取目標圖形的圖像，連續抓取五次圖像；
當目標晶粒圖形與標準晶粒尺寸相差為5-10％時，以目標晶粒為中心，上下左右每隔8個晶粒抓取目標圖形的圖像，連續抓取五次圖像；
當目標晶粒圖形與標準晶粒尺寸相差2-5％時，以目標晶粒為中心，上下左右每隔5個晶粒抓取目標圖形的圖像，連續抓取五次圖像；
當目標晶粒圖形與標準晶粒尺寸相差1-2％時，以目標晶粒為中心，上下左右每隔3個晶粒抓取目標圖形的圖像，連續抓取十次圖像；
當目標晶粒圖形與標準晶粒尺寸相差小于1％時，以目標晶粒為中心，上下左右每隔1個晶粒抓取目標圖形的圖像，連續抓取十次圖像。
10.如權利要求9所述的圖形缺陷檢測系統，其特征在于：所述標準晶粒為圖形坐標為[0,0]的晶粒。
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