[發明專利]平坦化方法以及閃存的制作方法在審
| 申請號： | 202010093213.9 | 申請日： | 2020-02-14 |
| 公開（公告）號： | CN111276398A | 公開（公告）日： | 2020-06-12 |
| 發明（設計）人： | 吳建榮 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065;H01L21/306;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 平坦 方法 以及 閃存 制作方法 | ||
1.一種平坦化方法，其特征在于，包括：
提供半導體基底，所述半導體基底上形成有高出所述半導體基底表面的第一材料層，所述第一材料層中形成有暴露出所述半導體基底表面的間隙；
在所述半導體基底上沉積第二材料層，所述第二材料層填滿所述間隙且覆蓋在所述第一材料層表面；
進行化學機械研磨工藝，去除部分厚度的所述第二材料層，剩余的所述第二材料層仍填滿所述間隙且覆蓋在所述第一材料層表面；
進行刻蝕工藝，再去除部分厚度的所述第二材料層，直至暴露出所述第一材料層的上表面。
2.如權利要求1所述的平坦化方法，其特征在于，所述刻蝕工藝為干法刻蝕或者濕法刻蝕。
3.如權利要求1所述的平坦化方法，其特征在于，在進行化學機械研磨后，執行濕法刻蝕或者干法刻蝕之前，剩余的所述第二材料層覆蓋在所述第一材料層表面上的厚度小于等于1000埃。
4.一種閃存的制作方法，其特征在于，包括：
提供半導體基底，所述半導體基底中形成有淺溝槽，所述淺溝槽中填充有第一材料層，所述第一材料層高出所述半導體基底表面，所述半導體基底上形成有由所述第一材料層限定的間隙；
在所述半導體基底表面沉積多晶硅層，所述多晶硅層填滿所述間隙且覆蓋在所述第一材料層表面；
進行化學機械研磨工藝，去除部分厚度的所述多晶硅層，且剩余的所述多晶硅層仍填滿所述間隙且覆蓋在所述第一材料層表面；以及
進行刻蝕工藝，再去除部分厚度的所述多晶硅層，直至暴露出所述第一材料層的上表面，刻蝕剩余的所述多晶硅層作為所述閃存的浮柵。
5.如權利要求4所述的閃存的制作方法，其特征在于，在進行化學機械研磨工藝前，所述多晶硅層的厚度大于所述間隙的深度。
6.如權利要求5所述的閃存的制作方法，其特征在于，在進行化學機械研磨工藝前，所述多晶硅層的厚度為所述間隙的深度的1.5～2倍。
7.如權利要求4所述的閃存的制作方法，其特征在于，在進行化學機械研磨后，執行刻蝕工藝之前，剩余的所述多晶硅層覆蓋在所述第一材料層表面上的厚度小于等于1000埃。
8.如權利要求4所述的閃存的制作方法，其特征在于，所述刻蝕工藝為干法刻蝕或者濕法刻蝕。
9.如權利要求8所述的閃存的制作方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的刻蝕液采用堿性溶液。
10.如權利要求4所述的閃存的制作方法，其特征在于，在沉積所述多晶硅層前，所述間隙的底面形成有柵極氧化層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
