[發(fā)明專利]一種檢測毒死蜱的側(cè)流層析分子印跡試紙條、熒光探針、試劑盒及檢測方法

有效

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• 申請日: 2020-02-14
• 公開（公告）號: CN111089957B
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發(fā)明（設計）人: 何亞薈;王靜;李洪巖;孫寶國
• 申請（專利權）人: 北京工商大學
• 主分類號: G01N33/533
• 分類號: G01N33/533;G01N33/558;G01N33/543
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 董大媛

本發(fā)明提供了一種檢測毒死蜱的側(cè)流層析分子印跡試紙條、熒光探針、試劑盒及檢測方法，屬于食品安全檢測技術領域，所述檢測毒死蜱的側(cè)流層析分子印跡試紙條的檢測線上設置毒死蜱分子印跡聚合物鍍層；所述毒死蜱分子印跡聚合物鍍層上滴涂毒死蜱分子印跡微球；本發(fā)明制備的毒死蜱結構類似物?IgG?CdSe/ZnS熒光探針，具有量子點熒光高靈敏特點，這種復合探針解決了常規(guī)有機熒光探針不穩(wěn)定、空間位阻大的技術問題。本發(fā)明提供的毒死蜱的檢測試劑盒和檢測方法，檢出限為1μg/L，檢測時間僅為10min；具備快速、簡單、便攜、適用于現(xiàn)場快速檢測等優(yōu)點，能夠?qū)崿F(xiàn)實際樣品中毒死蜱殘留的定性定量檢測。

技術領域

本發(fā)明屬于食品安全檢測技術領域，尤其涉及一種檢測毒死蜱的側(cè)流層析分子印跡試紙條、熒光探針、試劑盒及檢測方法。

背景技術

毒死蜱為廣譜有機磷殺蟲劑、殺螨劑、殺線蟲劑，主要用于防治果樹、棉花、糧食類作物上的鱗翅目害蟲、害螨、蠅類幼蟲及地下害蟲等。由于毒死蜱化學穩(wěn)定性好、半衰期長，在環(huán)境中極易殘留，對環(huán)境和人類健康造成潛在危害。自2016年12月31日，我國明令禁止在蔬菜上使用毒死蜱。目前毒死蜱的檢測技術主要有確證技術和免疫分析技術，但這些方法通常存在儀器昂貴、分析時間長、抗體制備困難等諸多缺陷。因此，設計合成具有特異性強、穩(wěn)定性好、制備成本低的仿生識別材料，建立靈敏、簡單、快速、穩(wěn)定、廉價的檢測方法具有重要的現(xiàn)實意義。

免疫層析試紙檢測技術是一種將單克隆抗體技術、免疫標記技術及免疫層析技術等多種方法結合起來的固相標記免疫檢測技術，應用于抗原、抗體和半抗原的定性、半定量和定量檢測。其使用方便、快速、特異強、成本低、制作簡單，不需要專業(yè)人員和大型昂貴儀器，成為最常用的免疫分析方法之一。但通常的免疫層析需要使用抗體，而抗體的使用存在成本高、儲存條件高、需要犧牲動物等不足。分子印跡替代抗體有望克服這些缺點；然而僅僅采用分子印跡代替抗體的直接競爭方法具有很大缺陷，如由于分子印跡微球粒徑較大可能會導致層析效果不好從而影響實驗靈敏度的缺點。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種檢測毒死蜱的側(cè)流層析分子印跡試紙條、熒光探針、試劑盒及檢測方法，所述方法采用新的分子印跡仿生免疫層析競爭分析模式，采用旋涂技術將分子印跡直接附著在硝酸纖維素膜上，使分子印跡的結合位點充分暴露出來，增加分子印跡與目標物的接觸面積，提高傳質(zhì)速率；本發(fā)明合成了CdSe/ZnS熒光探針代替有機探針FITC，解決了空間位阻和靈敏度的問題。同時，本發(fā)明通過制備毒死蜱結構類似物，接枝小鼠IgG偶聯(lián)量子點熒光探針，與目標物毒死蜱直接競爭分子印跡結合位點而產(chǎn)生的熒光變化，建立毒死蜱分子印跡層析競爭量子點熒光檢測技術，實現(xiàn)對毒死蜱殘留檢測。

為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供了以下技術方案：

本發(fā)明提供了一種檢測毒死蜱的側(cè)流層析分子印跡試紙條，包括依次搭接的樣品墊、結合墊、硝酸纖維素膜和吸水墊，所述硝酸纖維素膜上依次設置檢測線和質(zhì)控線，所述檢測線上設置毒死蜱分子印跡聚合物鍍層；所述毒死蜱分子印跡聚合物鍍層上滴涂毒死蜱分子印跡微球。

優(yōu)選的，所述毒死蜱分子印跡微球的制備方法包括以下步驟：1)將毒死蜱、乙腈、MAA-β-環(huán)糊精混合、預聚合獲得預聚合體系；2)將所述預聚合體系、交聯(lián)劑和引發(fā)劑混合進行聚合獲得聚合物；3)用洗脫液洗脫毒死蜱后獲得毒死蜱分子印跡微球。

優(yōu)選的，步驟1)中所述預聚合的溫度為22～28℃，所述預聚合的時間為25～35min；所述預聚合的過程中伴隨震搖。

優(yōu)選的，步驟2)中所述聚合的溫度為50～70℃，所述聚合的時間為12～24h；所述聚合在氮氣環(huán)境下進行。

本發(fā)明提供了一種毒死蜱結構類似物-IgG-CdSe/ZnS的熒光探針，所述熒光探針包括毒死蜱結構類似物-IgG偶聯(lián)物和包覆在所述毒死蜱結構類似物-IgG偶聯(lián)物外層的CdSe/ZnS量子點。